[實用新型]一種絕緣柵雙極性晶體管

有效

• 申請號: 201721609597.5
• 申請日: 2017-11-28
• 公開（公告）號: CN207542248U
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 楊俊;羅偉民;鄒偉
• 申請（專利權）人: 深圳市鑫宇鵬電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本實用新型公開了一種絕緣柵雙極性晶體管,包括外置包覆膜層、層間絕緣膜、V型槽柵、強固棱條、PNP晶體管和集電空穴，所述外置包覆膜層內側設置有層間絕緣膜，所述V型槽柵外側設置有強固棱條，所述PNP晶體管下方開設有集電空穴。本實用新型結構科學合理，使用安全方便，設置有外置包覆膜層可以起到對晶體管的保護作用；設置有層間絕緣層提高了晶體管內部的絕緣性；設置有V型槽柵使其內部構件之間的連接更加固定；設置有強固棱條提高了晶體管的抗形變能力；設置有PNP晶體管可以提高對電導率的調制效率，并提高晶體管內部電流密度；設置有集電空穴便于對晶體管內部基層間進行電導調制,減小層間電阻,使高電壓時,也具有較低的通態電壓。

技術領域

本實用新型涉及雙極性晶體管技術領域，具體為一種絕緣柵雙極性晶體管。

背景技術

絕緣柵雙極晶體管從本質上來說，就是一個場效應晶體管,隨著目前電子信息化的不斷發展，使作為電力電子領域的開關元件絕緣柵雙極性晶體管得以廣泛使用，在人們普遍應用的過程中，會發現現有的絕緣柵雙極性晶體管由于其外表面的防護功能較差導致其在使用過程中受損嚴重，而且現有的絕緣柵雙極性晶體管常因折疊、彎曲等導致絕緣柵雙極性晶體管的直接折斷，增大了經濟成本和資源浪費，同時現有的絕緣柵雙極性晶體管因其內部絕緣效果較差，導致其內部極電區之間經常發生交叉反應，導致晶體管元件控制力極大降低。

實用新型內容

本實用新型提供一種絕緣柵雙極性晶體管，可以有效解決上述背景技術中提出的現有的絕緣柵雙極性晶體管由于其外表面的防護功能較差導致其在使用過程中受損嚴重，現有的絕緣柵雙極性晶體管常因折疊、彎曲等導致絕緣柵雙極性晶體管的直接折斷，現有的絕緣柵雙極性晶體管內部絕緣效果較差，導致其內部極電區之間經常發生交叉反應等問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種絕緣柵雙極性晶體管，包括基板、外置包覆膜層、層間絕緣膜、絕緣層、V型槽柵、強固棱條、柵極電極、柵極引繞布線、漂移層、發射極電極、發射極、基極、PNP晶體管、集電極端子、保護環、集電極層、集電空穴、集電極電極、電極調制區和材料層，所述基板外側表面設置有外置包覆膜層，所述外置包覆膜層內側設置有絕緣層，所述絕緣層的頂角處均開設有V型槽柵，所述V型槽柵外側設置有強固棱條，所述絕緣層內側設置有柵極電極，所述柵極電極外側設置有柵極引繞布線，所述柵極電極內側下方設置有漂移層，所述漂移層下方設置有發射極電極，所述發射極電極右側設置有發射極，所述發射極電極內側下方設置有基極，所述基極內側中部設置有PNP晶體管，所述PNP晶體管外側設置有集電極端子，所述集電極端子兩側均設置有保護環，所述基極下方設置有集電極層，所述集電極層右側開設有集電空穴，所述集電空穴下方設置有電極調制區，所述電極調制區左側設置有集電極電極。

優選的，所述絕緣層內部設置有層間絕緣膜。

優選的，所述絕緣層與強固棱條之間通過V型槽柵固定連接。

優選的，所述基極外部左右兩側均設置有材料層。

優選的，所述強固棱條為一種高韌性塑膠材質的構件。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果：本實用新型結構科學合理，使用安全方便，設置有外置包覆膜層可以起到對晶體管的保護作用；設置有層間絕緣層提高了晶體管內部的絕緣性；設置有V型槽柵使其內部構件之間的連接更加固定；設置有強固棱條提高了晶體管的抗形變能力；設置有PNP晶體管可以提高對電導率的調制效率，并提高晶體管內部電流密度；設置有集電空穴便于對晶體管內部基層間進行電導調制,減小層間電阻,使高電壓時,也具有較低的通態電壓。

附圖說明

附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的限制。在附圖中：

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2是本實用新型層間絕緣膜的安裝結構示意圖；