[實用新型]一種絕緣柵雙極性晶體管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721609597.5 | 申請日: | 2017-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN207542248U | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊俊;羅偉民;鄒偉 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市鑫宇鵬電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/739 | 分類號: | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體管 空穴 包覆膜 棱條 外置 絕緣柵雙極性晶體管 本實用新型 層間絕緣膜 電導(dǎo)率 層間絕緣層 抗形變能力 層間電阻 電導(dǎo)調(diào)制 調(diào)制效率 結(jié)構(gòu)科學(xué) 內(nèi)部構(gòu)件 通態(tài)電壓 外側(cè)設(shè)置 高電壓 絕緣性 減小 基層 | ||
1.一種絕緣柵雙極性晶體管,包括基板(1)、外置包覆膜層(2)、層間絕緣膜(3)、絕緣層(4)、V型槽柵(5)、強固棱條(6)、柵極電極(7)、柵極引繞布線(8)、漂移層(9)、發(fā)射極電極(10)、發(fā)射極(11)、基極(12)、PNP晶體管(13)、集電極端子(14)、保護環(huán)(15)、集電極層(16)、集電空穴(17)、集電極電極(18)、電極調(diào)制區(qū)(19)和材料層(20),其特征在于:所述基板(1)外側(cè)表面設(shè)置有外置包覆膜層(2),所述外置包覆膜層(2)內(nèi)側(cè)設(shè)置有絕緣層(4),所述絕緣層(4)的頂角處均開設(shè)有V型槽柵(5),所述V型槽柵(5)外側(cè)設(shè)置有強固棱條(6),所述絕緣層(4)內(nèi)側(cè)設(shè)置有柵極電極(7),所述柵極電極(7)外側(cè)設(shè)置有柵極引繞布線(8),所述柵極電極(7)內(nèi)側(cè)下方設(shè)置有漂移層(9),所述漂移層(9)下方設(shè)置有發(fā)射極電極(10),所述發(fā)射極電極(10)右側(cè)設(shè)置有發(fā)射極(11),所述發(fā)射極電極(10)內(nèi)側(cè)下方設(shè)置有基極(12),所述基極(12)內(nèi)側(cè)中部設(shè)置有PNP晶體管(13),所述PNP晶體管(13)外側(cè)設(shè)置有集電極端子(14),所述集電極端子(14)兩側(cè)均設(shè)置有保護環(huán)(15),所述基極(12)下方設(shè)置有集電極層(16),所述集電極層(16)右側(cè)開設(shè)有集電空穴(17),所述集電空穴(17)下方設(shè)置有電極調(diào)制區(qū)(19),所述電極調(diào)制區(qū)(19)左側(cè)設(shè)置有集電極電極(18)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣柵雙極性晶體管,其特征在于:所述絕緣層(4)內(nèi)部設(shè)置有層間絕緣膜(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣柵雙極性晶體管,其特征在于:所述絕緣層(4)與強固棱條(6)之間通過V型槽柵(5)固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣柵雙極性晶體管,其特征在于:所述基極(12)外部左右兩側(cè)均設(shè)置有材料層(20)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣柵雙極性晶體管,其特征在于:所述強固棱條(6)為一種高韌性塑膠材質(zhì)的構(gòu)件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





