[實用新型]半導體封裝模具有效
| 申請號: | 201721591712.0 | 申請日: | 2017-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN207800551U | 公開(公告)日: | 2018-08-31 |
| 發明(設計)人: | 賴晉圓;陳瑭原;楊金鳳;陳柏勛 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一模穴 半導體封裝模具 注膠口 第二模穴 流體連通 本實用新型 第一端 | ||
本實用新型涉及一種半導體封裝模具。所述半導體封裝模具包括多個注膠口、第一模穴和第二模穴。所述第一模穴的第一端與所述注膠口連接并與所述注膠口流體連通,且所述第二模穴分別在所述第一模穴的相對所述第一端的第二端的兩側與所述第一模穴連接,并與所述第一模穴流體連通。
技術領域
本實用新型涉及一種半導體封裝模具,特別是可使封裝膠材在所述模具進行模流時不會產生模流不均的情形。
背景技術
在半導體封裝工藝中,首先會將多個芯片設置于導線架或基材上并進行必要的電性連接之后,再以封裝膠材對芯片和導線架/襯底進行包覆,使芯片能被封裝膠材所保護并固定在導線架/基材上。
基本作法是透過上模具和下模具,將多個已設置好芯片的導線架/基材擺放在上下模具之間,接著,透過高溫高壓方式注入熱固性封裝膠材,使熱熔的封裝膠材能在流道中流動以逐步密封芯片和導線架/襯底,待封裝膠材冷卻并烘烤固化成形后,即完成封裝工藝。
過去的芯片堆疊方式相對簡單且多以單晶封裝為主,因此封裝膠材在模具中進行模流時,不太會有模流不均的問題產生。但是遇到像SiP這種具有多晶并列或多晶堆疊等情形的封裝模塊,在進行模流時卻時常發生“牛角現象”。所謂“牛角現象”即因為位于封裝模具的兩側處的封裝膠材流速較快,而位于封裝模具的中間部分的封裝膠材流速較慢的原因,使得位于封裝模具的兩側處的封裝膠材在到達封裝模具的末端且停止流動時,位于封裝模具的中間部分的封裝膠材卻未同時到達封裝模具的末端,如此,距離注膠口較遠處的封裝模具的中下間區段難以被封裝膠材完全填滿。所述“牛角現象”便是目前SiP封裝時常遇到的模流狀況,且一旦未來主動/被動元件變更多或是封裝膜厚變更薄時,模流不均的問題將更趨嚴重。
實用新型內容
本實用新型提供一種半導體封裝模具,可解決封裝模具在進行模流時會發生“牛角現象”的缺點。
本實用新型的一方面涉及一種半導體封裝模具。在實施例中,所述半導體封裝模具包括多個注膠口、第一模穴和第二模穴。所述第一模穴的第一端與所述注膠口連接并與所述注膠口流體連通,且所述第二模穴分別在所述第一模穴的相對所述第一端的第二端的兩側與所述第一模穴連接,并與所述第一模穴流體連通。
在本實用新型的另一個實施例中,所述半導體封裝模具包括多個注膠口、第一模穴和至少一個第二模穴。所述第一模穴的第一端與所述注膠口連接并與所述注膠口流體連通,且所述第二模穴經配置以通過所述第一模穴的相對所述第一端的第二端的兩側處而與所述第一模穴流體連通。
也預期本實用新型的其它方面和實施例。前述創作內容和以下實施方式并不希望將本實用新型限于任何特定實施例,而是僅希望描述本實用新型的一些實施例。
附圖說明
為了更好地理解本實用新型的一些實施例的本質和目標,將參考結合隨附圖式而采取的以下實施方式。在圖式中,除非上下文另有明確規定,否則類似參考編號表示類似元件。
圖1為根據本實用新型實施例的半導體封裝模具的立體示意圖。
圖2A到2D為使用本實用新型實施例的半導體封裝模具進行模流的示意圖。
圖3為根據本實用新型實施例的半導體封裝模具的立體示意圖。
圖4A到4D為使用本實用新型實施例的半導體封裝模具進行模流的示意圖。
具體實施方式
圖1是顯示本實用新型的半導體封裝模具1的實施例的立體示意圖。參閱圖1,半導體封裝模具1可包括多個注膠口11、主模穴13和側模穴15。多個注膠口11與主模穴13的前端131連接,且與主模穴13流體連通;而側模穴15分別在主模穴13的后端133的兩側處與主模穴13連接,并從主模穴13的后端133以遠離主模穴13的方式延伸,且與主模穴15流體連通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





