[實用新型]一種芯片鍵合線阻抗匹配裝置有效
| 申請號: | 201721557078.9 | 申請日: | 2017-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN207676677U | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | 潘計劃;易虎 | 申請(專利權)人: | 長芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01B7/02 | 分類號: | H01B7/02;H01B7/17;H01B7/08;H01B11/00 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 石伍軍;張鵬 |
| 地址: | 401233 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻抗匹配裝置 芯片鍵合 信號線 絕緣結構 金屬屏蔽結構 本實用新型 環繞 覆蓋 高頻高速信號 同軸線 屏蔽 外周 傳輸 保證 | ||
1.一種芯片鍵合線阻抗匹配裝置,其特征在于,包括:信號線、環繞覆蓋于所述信號線外側的絕緣結構以及環繞覆蓋于所述絕緣結構外周的金屬屏蔽結構。
2.根據權利要求1所述的芯片鍵合線阻抗匹配裝置,其特征在于,所述絕緣結構包括第一絕緣層和第二絕緣層,所述信號線固定于所述第一絕緣層上,所述第二絕緣層覆蓋在所述信號線外且層疊于所述第一絕緣層上。
3.根據權利要求2所述的芯片鍵合線阻抗匹配裝置,其特征在于,所述金屬屏蔽結構包括底部金屬層、頂部金屬層以及兩個側部金屬層,所述第一絕緣層覆蓋層疊于所述底部金屬層的上方,所述頂部金屬層覆蓋層疊于所述第二絕緣層的上方,兩個所述側部金屬層分別從所述信號線的兩側穿過所述第一絕緣層和第二絕緣層,且每個所述側部金屬層的兩端分別連接所述底部金屬層和所述頂部金屬層。
4.根據權利要求3所述的芯片鍵合線阻抗匹配裝置,其特征在于,所述信號線設有至少兩個,且各所述信號線間隔分布,每個所述信號線的外周都設有所述絕緣結構和所述金屬屏蔽結構。
5.根據權利要求4所述的芯片鍵合線阻抗匹配裝置,其特征在于,各所述信號線外周的所述底部金屬層連為一體。
6.根據權利要求4所述的芯片鍵合線阻抗匹配裝置,其特征在于,各所述信號線外周的所述頂部金屬層連為一體。
7.根據權利要求4-6任一項所述的芯片鍵合線阻抗匹配裝置,其特征在于,任意相鄰兩所述信號線之間共用一個所述側部金屬層。
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