[實用新型]一種半導體氣相沉積設備的更換置具

有效

• 申請號: 201721551330.5
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN207498465U
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發明（設計）人: 王大為;林宗賢;吳龍江
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種半導體氣相沉積設備的更換置具，包括：具有第一面及與第一面相對應的第二面的承載體；與承載體的第二面相連接的支撐體；支撐體與腔體底相接觸；支撐體與承載體及腔體底構成收容空間，基座位于收容空間內，且基座不接觸承載體及支撐體；以及連接于承載體第一面且凸出于承載體第一面的沖擊模塊；沖擊模塊高度不小于腔體蓋的高度；沖擊模塊上表面水平；沖擊模塊上表面的最大間距不大于噴頭的直徑；本實用新型可提供具有水平面的更換置具，可使噴頭受力均勻，從而不會發生噴頭被卡在腔體蓋內的現象，同時，更換置具與氣相沉積設備中的基座不接觸，可有效保護基座上表面，從而提高后續制備產品的質量。

技術領域

本實用新型屬于一種置具，涉及一種半導體氣相沉積設備的更換置具。

背景技術

氣相沉積技術是在氣相中發生物理、化學反應的過程，在工件表面形成功能性或裝飾性的金屬、非金屬或化合物涂層。氣相沉積技術按照成膜機理，可分為化學氣相沉積、物理氣相沉積和等離子體氣相沉積。

其中，化學氣相沉積及物理氣相沉積是半導體領域較為常用的沉積鍍膜方式。化學氣相沉積是將基片置于反應室中，抽真空并加熱至900～1100℃，根據工藝需求在反應室內通入氣體并與金屬發生反應產生化合物，而后沉積在基片上表面。物理氣相沉積是通過蒸發，電離或濺射等過程，產生金屬粒子并與反應氣體反應形成化合物沉積在基片表面。

圖1顯示為現有技術中的一種氣相沉積設備的剖視結構示意圖，所述氣相沉積設備包括腔體蓋100、腔體底200、腔體300、噴頭400及基座500。所述噴頭400位于所述腔體蓋100內，并與所述腔體蓋100相接觸，由于所述氣相沉積設備中會通入反應氣體，因此，所述氣相沉積設備需要密封。為了加強密封效果，往往在所述噴頭400與所述腔體蓋100接觸面加設密封圈(未圖示)。

在生產過程中如果發生漏氣則需要更換所述密封圈，如果所述噴頭400自身發生不良，則需要將所述密封圈及所述噴頭400一起進行更換。但無論哪種情況都需要先取出所述噴頭400。

目前，取出所述噴頭400的方法為在所述噴頭400下方的所述基座500上表面放置擺放物(如：無塵布)，通過所述腔體蓋100向下移動時，利用所述擺放物凸出所述基座500上表面的高度，將所述噴頭400從所述腔體蓋100內頂出。如圖2所示，顯示為現有技術中的所述噴頭400被卡住時的剖視結構示意圖。由于所述擺放物600上表面不水平，常常造成所述噴頭400受力不均勻，而發生所述噴頭400被卡在所述腔體蓋100內出無法取出的現象，最后只能使用榔頭將被卡在所述腔體蓋100內的所述噴頭400用蠻力砸出，導致所述噴頭400完全報廢，甚至于造成所述腔體蓋100的損壞，最終造成資源的浪費。同時，由于所述擺放物600直接與所述基座500相接處，因此，所述基座500表面也會受到不均勻的壓力，導致所述基座500上表面被壓迫變形，影響后續制備的產品質量。因此，設計一種方便更換所述噴頭400的更換置具極其必要。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種半導體氣相沉積設備的更換置具，用于解決現有技術中在更換密封圈或噴頭時造成噴頭受力不均勻，而被卡在腔體蓋內，造成噴頭及腔體蓋的損壞，最終造成資源浪費，同時，解決基座上表面被壓迫變形，影響后續制備的產品質量的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種半導體氣相沉積設備的更換置具，所述氣相沉積設備包括腔體蓋、腔體底、腔體、噴頭及基座；所述更換置具包括：

承載體，所述承載體具有第一面及與所述第一面相對應的第二面；

支撐體，所述支撐體與所述承載體的第二面相連接；所述支撐體與所述腔體底相接觸；所述支撐體與所述承載體及所述腔體底構成收容空間，所述基座位于所述收容空間內，且所述基座不接觸所述承載體及所述支撐體；