[實用新型]一種半導體氣相沉積設備的更換置具有效
| 申請號： | 201721551330.5 | 申請日： | 2017-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN207498465U | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發明（設計）人： | 王大為;林宗賢;吳龍江 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 承載體 支撐體 置具 噴頭 氣相沉積設備 本實用新型 收容空間 不接觸 腔體蓋 上表面 腔體 半導體 基座上表面 受力均勻 制備 | ||
1.一種半導體氣相沉積設備的更換置具，所述氣相沉積設備包括腔體蓋、腔體底、腔體、噴頭及基座；其特征在于，所述更換置具包括：
承載體，所述承載體具有第一面及與所述第一面相對應的第二面；
支撐體，所述支撐體與所述承載體的第二面相連接；所述支撐體與所述腔體底相接觸；所述支撐體與所述承載體及所述腔體底構成收容空間，所述基座位于所述收容空間內，且所述基座不接觸所述承載體及所述支撐體；
沖擊模塊，所述沖擊模塊連接于所述承載體第一面且凸出于所述承載體第一面；所述沖擊模塊高度不小于所述腔體蓋的高度；所述沖擊模塊上表面水平；所述沖擊模塊上表面的最大寬度不大于所述噴頭的直徑。
2.根據權利要求1所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述支撐體的橫截面外緣輪廓由直線或曲線中的一種或組合形成。
3.根據權利要求1所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述支撐體包括多個支撐桿。
4.根據權利要求3所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述支撐桿的橫截面外緣輪廓由直線或曲線中的一種或組合形成。
5.根據權利要求1所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述沖擊模塊包括實心、空心中的一種。
6.根據權利要求5所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述沖擊模塊的橫截面外緣輪廓由直線或曲線中的一種或組合形成。
7.根據權利要求1所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述沖擊模塊包括多個位于同一平面的沖擊部件。
8.根據權利要求7所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述多個沖擊部件之間均勻分布。
9.根據權利要求7所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述沖擊部件包括實心、空心中的一種。
10.根據權利要求1所述的半導體氣相沉積設備的更換置具，其特征在于：所述更換置具的材料包括鈦合金、鋁合金、塑鋼或亞克力中的一種或組合。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
