[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201721551096.6
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN207664048U
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 全祐哲;阿里·薩利赫;沃恩-埃德蒙茲·盧埃林
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王琳;姚開麗

在本專利申請中涉及一種半導體器件，包括：溝道層；設置在所述溝道層上的載流子產生層；設置在所述載流子產生層上的源極接觸；設置在所述載流子產生層上的漏極接觸；設置在所述源極接觸和所述漏極接觸之間的柵極接觸；以及與所述漏極接觸相接觸的溝槽導電材料，所述溝槽導電材料的至少一部分設置在所述載流子產生層和所述溝道層中。

相關申請

本申請要求于2016年11月17日遞交的美國臨時專利申請No.62/423,547的優先權和權益，其全部內容以引用的方式合并到本申請中。

技術領域

本申請總體上涉及半導體器件。更具體地說，本申請描述了包括具有減小的動態阻抗的高電子遷移率晶體管(HEMT)的半導體器件。

背景技術

包含集成電路(IC)或分立器件的半導體器件用于各種各樣的電子設備。IC器件(或芯片或分立器件)可包括在半導體材料的襯底的表面中制造的小型化的電子電路。電路由許多重疊的層構成，這些重疊的層包括包含可以擴散到襯底中的摻雜劑的層(稱為擴散層)或包含植入襯底中的離子的層(植入層)。其它層是導體層(多晶硅或金屬層)或導電層之間的連接層(通孔或接觸層)。IC器件或分立器件可以以逐層工藝制造，該逐層工藝使用包括映像、沉積、蝕刻、摻雜和清潔的許多步驟的組合。硅晶圓通常用作襯底，光刻用于標記襯底的待摻雜或沉積的不同區域并限定多晶硅層、絕緣層或金屬層。

一種類型的半導體器件，即高電子遷移率晶體管(HEMT)，是一種場效應晶體管，其包含具有不同帶隙的兩種材料之間的結(即，異質結)作為溝道，而非作為摻雜區(通常是針對MOSFET器件的情況)。HEMT可用于集成電路作為數字通斷開關。HEMT晶體管可以以比普通晶體管高的頻率操作并可用于包括例如移動電話的許多高頻產品。

實用新型內容

在本專利申請中描述了一種半導體器件，包括：溝道層；設置在所述溝道層上的載流子產生層；設置在所述載流子產生層上的源極接觸；設置在所述載流子產生層上的漏極接觸；設置在所述源極接觸和所述漏極接觸之間的柵極接觸；以及與所述漏極接觸相接觸的溝槽導電材料，所述溝槽導電材料的至少一部分設置在所述載流子產生層和所述溝道層中。

該半導體器件可以是高電子遷移率晶體管(HEMT)器件。在一些實現中，HEMT器件可包括背勢壘空穴注入結構。在一些實現中，HEMT器件包括電耦合到漏極接觸的導電條部分。

附圖說明

圖1是示出高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的示例實現的圖。

圖2示出了圖1中所示的HEMT器件的變型。

圖3A是示出圖1中所示的HEMT器件的俯視圖的圖。

圖3B是示出圖1和圖3A中所示的HEMT器件的變型的圖。

圖4是示出圖1中所示的HEMT器件的另一變型的圖。

圖5A、圖5B、圖5C示出了用于制作本文中至少與圖1至圖4關聯地描述的HEMT器件的工藝。

圖6是示出制作HEMT器件的方法的流程圖。

圖7A、圖7B、圖7C、圖7D是示出包括耦合到漏極接觸的導電條部分的HEMT器件的圖。

圖8A、圖8B、圖8C是示出圖7A至圖7D中所示的HEMT器件的變型的圖。

圖9A、圖9B、圖9C、圖9D是示出圖8A至圖8C中所示的HEMT器件的變型的圖。

圖10、圖11、圖12是示出HEMT器件的變型的俯視圖的圖。

圖13A、圖13B、圖13C是示出至少在圖8A中所示的HEMT器件的變型的圖。