[實用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721551096.6
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN207664048U
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 全祐哲;阿里·薩利赫;沃恩-埃德蒙茲·盧埃林
• 申請（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 王琳;姚開麗

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

溝道層；

設(shè)置在所述溝道層上的載流子產(chǎn)生層；

設(shè)置在所述載流子產(chǎn)生層上的源極接觸；

設(shè)置在所述載流子產(chǎn)生層上的漏極接觸；

設(shè)置在所述源極接觸和所述漏極接觸之間的柵極接觸；以及

與所述漏極接觸相接觸的溝槽導(dǎo)電材料，所述溝槽導(dǎo)電材料的至少一部分設(shè)置在所述載流子產(chǎn)生層和所述溝道層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝槽導(dǎo)電材料與所述載流子產(chǎn)生層接觸并在所述漏極接觸和所述溝道層之間延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝槽導(dǎo)電材料在所述溝道層內(nèi)終止。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進一步包括：

設(shè)置在所述溝道層下方的背勢壘層，所述溝槽導(dǎo)電材料在所述漏極接觸和所述背勢壘層之間延伸，所述溝槽導(dǎo)電材料在所述背勢壘層中終止。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進一步包括：

設(shè)置在所述溝道層下方的背勢壘層，所述溝槽導(dǎo)電材料從所述漏極接觸延伸并在所述背勢壘層上方終止。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是配置成限定二維電子氣層的高電子遷移率晶體管器件，所述載流子產(chǎn)生層包括氮化鋁鎵材料，所述溝道層包括氮化鎵材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述漏極接觸限定一與所述載流子產(chǎn)生層的歐姆接觸，所述源極接觸限定一與所述載流子產(chǎn)生層的歐姆接觸，

所述半導(dǎo)體器件進一步包括：

設(shè)置在所述載流子產(chǎn)生層上的介電層，所述柵極接觸凹入所述介電層內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝槽導(dǎo)電材料具有比所述漏極接觸的寬度小的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是耗盡型器件或增強型器件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝槽導(dǎo)電材料的至少這一部分設(shè)置在溝槽中，而所述溝槽設(shè)置在所述載流子產(chǎn)生層和所述溝道層中，所述溝槽沿著與所述漏極接觸對齊的方向相同的方向而對齊。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝槽導(dǎo)電材料是第一溝槽導(dǎo)電材料，

所述半導(dǎo)體器件進一步包括：

與所述源極接觸相接觸的第二溝槽導(dǎo)電材料，所述第二溝槽導(dǎo)電材料的至少一部分設(shè)置在所述載流子產(chǎn)生層和所述溝道層中。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝槽導(dǎo)電材料是設(shè)置在第一溝槽中的第一溝槽導(dǎo)電材料，

所述半導(dǎo)體器件進一步包括：

與所述漏極接觸相接觸的第二溝槽導(dǎo)電材料，所述第二溝槽導(dǎo)電材料的至少一部分設(shè)置在所述載流子產(chǎn)生層和所述溝道層中，所述第二溝槽導(dǎo)電材料的至少這一部分設(shè)置在與所述第一溝槽分開的第二溝槽中，使得凸臺設(shè)置在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間。