[實用新型]發光裝置

有效

• 申請號: 201721548176.6
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN207489912U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 陳宗慶;吳建榮
• 申請（專利權）人: 揚州艾笛森光電有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/52;H01L33/56
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種發光裝置，包含基板、覆晶發光二極管晶片、橫向發光二極管晶片、導熱膠層與熒光粉層。覆晶發光二極管晶片位于基板上。橫向發光二極管晶片位于覆晶發光二極管晶片上。橫向發光二極管晶片的波長小于覆晶發光二極管晶片的波長。導熱膠層位于覆晶發光二極管晶片與橫向發光二極管晶片之間，使得橫向發光二極管晶片粘合于覆晶發光二極管晶片。熒光粉層覆蓋橫向發光二極管晶片。橫向發光二極管晶片具有補齊全光譜的功能，使得發光裝置的發射光譜在各波長無明顯缺陷。

技術領域

本案是有關于一種發光裝置。

背景技術

在日常生活中，照明設備是不可或缺的。由于傳統鎢絲燈泡發光時需消耗大量的電能，因此近年來應用發光二極管(Light emitting diode；LED)為光源的照明設備已越來越受歡迎。LED光源與鎢絲燈泡相較，具有壽命長、耗電量低、耐震、亮度高等優點。

一般而言，以LED作為光源的發光裝置可由藍光LED晶片覆蓋黃色熒光粉制作。當藍光LED晶片發光時，藍光進入黃色熒光粉并將熒光粉激發，經混光而產生白光。然而，這樣的設計易在發射光譜(Emission spectrum)的淺藍色波長區域，產生明顯的缺陷，導致發光裝置的演色性指數難以提升。

實用新型內容

本實用新型的一技術態樣為一種發光裝置。

根據本實用新型一實施方式，一種發光裝置包含基板、覆晶發光二極管晶片、橫向發光二極管晶片、導熱膠層與熒光粉層。覆晶發光二極管晶片位于基板上。橫向發光二極管晶片位于覆晶發光二極管晶片上。橫向發光二極管晶片的波長小于覆晶發光二極管晶片的波長。導熱膠層位于覆晶發光二極管晶片與橫向發光二極管晶片之間，使得橫向發光二極管晶片粘合于覆晶發光二極管晶片。熒光粉層覆蓋橫向發光二極管晶片。

在本實用新型一實施方式中，上述橫向發光二極管晶片具有背對覆晶發光二極管晶片的頂面，且此頂面具有導電接點電性連接基板的第一導電接點。

在本實用新型一實施方式中，上述覆晶發光二極管晶片具有朝向基板的底面，且此底面具有導電接點電性連接基板的第二導電接點。

在本實用新型一實施方式中，上述第一導電接點的輸入電流大于第二導電接點的輸入電流，且第二導電接點的輸入電流與第一導電接點的輸入電流的比值介于0.1至1。

在本實用新型一實施方式中，上述熒光粉層延伸至基板，且圍繞橫向發光二極管晶片與覆晶發光二極管晶片。

在本實用新型一實施方式中，上述覆晶發光二極管晶片的寬度大致等于橫向發光二極管晶片的寬度。發光裝置還包含遮光結構。遮光結構位于基板上，且圍繞橫向發光二極管晶片、覆晶發光二極管晶片與熒光粉層。

在本實用新型一實施方式中，上述覆晶發光二極管晶片的寬度小于橫向發光二極管晶片的寬度。熒光粉層的一部分位于橫向發光二極管晶片與基板之間。

在本實用新型一實施方式中，上述橫向發光二極管晶片為波長約460nm的藍光二極管晶片，且覆晶發光二極管晶片為波長約490nm的藍光二極管晶片。

在本實用新型一實施方式中，上述覆晶發光二極管晶片為紅光二極管晶片。

在本實用新型一實施方式中，上述橫向發光二極管晶片具有朝向覆晶發光二極管晶片的底面，且包含金屬層。金屬層位于此底面上且覆蓋覆晶發光二極管晶片。金屬層具有穿孔。

在本實用新型一實施方式中，上述橫向發光二極管晶片具有朝向覆晶發光二極管晶片的底面，且包含濾光層。濾光層位于此底面上且覆蓋覆晶發光二極管晶片。