[實用新型]發光裝置有效
| 申請號： | 201721548176.6 | 申請日： | 2017-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN207489912U | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發明（設計）人： | 陳宗慶;吳建榮 | 申請（專利權）人： | 揚州艾笛森光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;H01L33/52;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 225000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 橫向發光二極管 發光二極管晶片 晶片 覆晶 發光裝置 波長 導熱膠層 熒光粉層 基板 發射光譜 明顯缺陷 粘合 光譜 覆蓋 | ||
1.一種發光裝置，其特征在于，包含：
一基板；
一覆晶發光二極管晶片，位于該基板上；
一橫向發光二極管晶片，位于該覆晶發光二極管晶片上，其中該橫向發光二極管晶片的波長小于該覆晶發光二極管晶片的波長；
一導熱膠層，位于該覆晶發光二極管晶片與該橫向發光二極管晶片之間，使得該橫向發光二極管晶片粘合于該覆晶發光二極管晶片；以及
一熒光粉層，覆蓋該橫向發光二極管晶片。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該橫向發光二極管晶片具有背對覆晶發光二極管晶片的一頂面，且該頂面具有一導電接點電性連接該基板的一第一導電接點。
3.根據權利要求2所述的發光裝置，其特征在于，該覆晶發光二極管晶片具有朝向該基板的一底面，且該底面具有一導電接點電性連接該基板的一第二導電接點。
4.根據權利要求3所述的發光裝置，其特征在于，該第一導電接點的輸入電流大于該第二導電接點的輸入電流，且該第二導電接點的輸入電流與該第一導電接點的輸入電流的比值介于0.1至1。
5.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該熒光粉層延伸至該基板，且圍繞該橫向發光二極管晶片與該覆晶發光二極管晶片。
6.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該覆晶發光二極管晶片的寬度大致等于該橫向發光二極管晶片的寬度，該發光裝置還包含：
一遮光結構，位于該基板上，且圍繞該橫向發光二極管晶片、該覆晶發光二極管晶片與該熒光粉層。
7.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該覆晶發光二極管晶片的寬度小于該橫向發光二極管晶片的寬度，該熒光粉層的一部分位于該橫向發光二極管晶片與該基板之間。
8.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該橫向發光二極管晶片為波長約460nm的藍光二極管晶片，且該覆晶發光二極管晶片為波長約490nm的藍光二極管晶片。
9.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該覆晶發光二極管晶片為紅光二極管晶片。
10.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該橫向發光二極管晶片具有朝向該覆晶發光二極管晶片的一底面，且包含：
一金屬層，位于該底面上且覆蓋該覆晶發光二極管晶片，該金屬層具有一穿孔。
11.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，該橫向發光二極管晶片具有朝向該覆晶發光二極管晶片的一底面，且包含：
一濾光層，位于該底面上且覆蓋該覆晶發光二極管晶片。
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