[實用新型]一種硅片冷卻裝置

有效

• 申請號: 201721542815.8
• 申請日: 2017-11-17
• 公開（公告）號: CN207676883U
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 楊健;黨繼東
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型公開了一種硅片冷卻裝置，涉及太陽能電池技術領域。硅片冷卻裝置包括箱體，所述箱體內放置承載硅片的石英舟，所述箱體的頂板和底板均設置有多個進氣口，所述進氣口通過進氣管與進氣裝置連通，所述箱體相對的兩個側壁上均設置有排氣口，所述排氣口通過排氣管與抽氣裝置連通。該硅片冷卻裝置中，箱體的頂板和底板均設置有進氣口，氮氣由硅片的上下兩個方向與硅片接觸，加快了箱體內的氣體流動，加快了硅片與氣體的熱量傳遞，縮短了硅片的冷卻時間，提高了太陽能電池片的生產效率。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種硅片冷卻裝置。

背景技術

太陽能電池又稱為“太陽能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽光直接發電的光電半導體薄片。它只要被滿足一定照度條件的光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產生電流。太陽能電池的制備過程中，硅片需要依次經過制絨、擴散、刻蝕、鍍膜以及印刷等工序。擴散工藝是太陽能電池制備過程中的一個核心工序，即硅片以石英舟為載體放入擴散爐中，在一定溫度下，向擴散爐內通入氮氣和擴散源，以使硅片的表面擴散沉積PN結。

擴散后，硅片的溫度較高，需要進行冷卻，以避免硅片表面的PN結在裝卸、輸送以及后續加工過程中被破壞或污染。現有技術中，擴散完成后，將承載硅片的石英舟放置在箱體內，箱體的頂壁設置有進氣口，通過進氣口向箱體內通入氮氣以冷卻硅片。由于剛結束擴散工藝的石英舟和硅片的溫度較高，需要冷卻的時間長，冷卻不到位將在卸載硅片時出現吸筆印等缺陷而導致硅片需要返工，嚴重影響硅片的生產效率。

此外，硅片在冷卻過程中，無法判斷硅片當前溫度，為減少冷卻不到位的現象，箱體內持續通入氮氣，造成氮氣浪費，提高了太陽能電池片的加工成本。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提出一種硅片冷卻裝置，硅片的冷卻效率高，提高了太陽能電池片的生產效率。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種硅片冷卻裝置，包括箱體，所述箱體內放置承載硅片的石英舟，所述箱體的頂板和底板均設置有多個進氣口，所述進氣口通過進氣管與進氣裝置連通，所述箱體相對的兩個側壁上均設置有排氣口，所述排氣口通過排氣管與抽氣裝置連通。

其中，所述箱體的頂板和底板均設置有腔體，所述進氣口設置于所述頂板和所述底板的內層，所述腔體分別與所述進氣管和所述進氣口連通。

其中，所述頂板上的進氣口與所述底板上的進氣口交錯設置。

其中，所述箱體的前側設置有開口以及用于遮擋或打開所述開口的箱門。

其中，所述箱門為卷簾門。

其中，所述箱體的背板設置有多個所述進氣孔。

其中，所述排氣口位于所述箱體的側壁的中部。

其中，所述進氣口的直徑為0.5-1.5cm。例如，進氣口的直徑可以為0.5cm、0.7cm、0.9cm、1.1cm、1.3cm、1.5cm。

其中，還包括溫度傳感器及控制器，所述溫度傳感器設置于所述箱體內，所述控制器分別與所述溫度傳感器和所述抽氣裝置連接，所述控制器根據所述溫度傳感器檢測到的所述箱體內的溫度控制所述抽氣裝置和所述進氣裝置的啟停。

其中，還包括報警器，所述報警器與所述控制器連接。

其中，所述進氣管和所述排氣管均設置有流量閥，所述流量閥與所述控制器連接，所述控制器根據所述溫度傳感器檢測到的所述箱體內的溫度控制所述流量閥允許通過的流量。

其中，所述進氣管和所述排氣管均設置有流量計。

其中，還包括設置于所述箱體內的擱架，所述石英舟放置在所述擱架上。