[實用新型]一種晶體硅太陽能電池結構

有效

• 申請號: 201721534081.9
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN207542252U
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 趙科雄;賈苗苗;許慶豐
• 申請（專利權）人: 隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/0747
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

1.一種晶體硅太陽能電池結構，其特征在于，自上而下依次包括正面電極(10)、第一減反射膜(1)、第一納米銀線透明導電膜(2)、第一摻雜多/微晶硅層(3)、第一隧穿氧化層(4)、晶體硅片(5)、第二隧穿氧化層(6)、第二摻雜多/微晶硅層(7)、第二納米銀線導電膜(8)、第二減反射膜(9)和背面電極(11)；正面電極(10)穿透第一減反射膜(1)與第一納米銀線透明導電膜(2)形成電接觸；背面電極(11)穿透第二減反射膜(9)與第二納米銀線導電膜(8)形成電接觸。

2.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池結構，其特征在于，晶體硅片(5)為P型或N型的單晶硅片或多晶硅片。

3.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池結構，其特征在于，兩個隧穿氧化層均為氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮氧化硅的一種或多種疊層，厚度為1～3nm。

4.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池結構，其特征在于，兩個減反射膜厚度均為50～100nm，減反射膜可為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鈦、氧化鋁薄膜的一種或多種疊層。

5.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池結構，其特征在于，正反面電極為細柵線狀，正反面電極為銀電極、鋁電極、鎳電極、銅電極、合金電極或金屬復合電極。

6.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池結構，其特征在于，兩個摻雜多/微晶硅層的厚度均為10～300nm；兩個納米銀線透明導電膜的厚度為50～500nm。

7.根據權利要求1所述的一種晶體硅太陽能電池結構，其特征在于，第一摻雜多/微晶硅層(3)與第二摻雜多/微晶硅層(7)中的摻雜劑類型不同。