[實(shí)用新型]電暈預(yù)電離電極、激光振蕩器和準(zhǔn)分子激光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721531816.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207542555U | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 西坂敏博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 極光先進(jìn)雷射株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01S3/038 | 分類號(hào): | H01S3/038 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 背面電極 預(yù)電離電極 電暈 電介質(zhì)管 預(yù)電離 激光振蕩器 準(zhǔn)分子激光 金屬部件 固定管 外電極 本實(shí)用新型 絕緣距離 異常放電 高電壓 施加 覆蓋 | ||
本實(shí)用新型提供一種電暈預(yù)電離電極、激光振蕩器和準(zhǔn)分子激光裝置。該電暈預(yù)電離電極包括:電介質(zhì)管,預(yù)電離外電極和背面電極;所述電暈預(yù)電離電極還包括:固定管,其覆蓋所述背面電極的一部分;其中,所述背面電極的在電介質(zhì)管的預(yù)電離外電極存在的部分處的外徑形成為比所述固定管的內(nèi)徑大。由此,能夠充分獲得背面電極與周圍的金屬部件之間的絕緣距離,并且能夠?qū)崿F(xiàn)必要的預(yù)電離強(qiáng)度;從而即使在被施加了高電壓的背面電極尤其是電介質(zhì)管的端部處,也能杜絕或抑制因附近的金屬部件和背面電極而產(chǎn)生的異常放電。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種電暈預(yù)電離電極、激光振蕩器和準(zhǔn)分子激光裝置。
背景技術(shù)
伴隨著半導(dǎo)體集成電路的細(xì)微化、高集成化,在半導(dǎo)體曝光裝置中要求提高分辨率。以下將半導(dǎo)體曝光裝置簡稱為“曝光裝置”。因此,從曝光用光源輸出的光的波長在變短。在曝光用光源中代替現(xiàn)有的水銀燈而使用了氣體激光裝置。例如,使用輸出波長248nm的紫外線的KrF準(zhǔn)分子激光裝置以及輸出波長193nm的紫外線的ArF準(zhǔn)分子激光裝置,作為曝光用的氣體激光裝置。
準(zhǔn)分子激光裝置的激光震蕩器中,一般配置有電暈預(yù)電離(Coronapreionization)電極。其中,例如專利文獻(xiàn)1,該電暈預(yù)電離電極可以包括電介質(zhì)管、預(yù)電離外電極和背面電極。
專利文獻(xiàn)1:日本專利申請(qǐng)公開2007-81438號(hào)
應(yīng)當(dāng)注意,上面對(duì)背景技術(shù)的介紹只是為了方便對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說明,并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因?yàn)檫@些方案在本申請(qǐng)的背景技術(shù)部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。
實(shí)用新型內(nèi)容
發(fā)明人發(fā)現(xiàn):在現(xiàn)有的電暈預(yù)電離電極中,在被施加了高電壓的背面電極尤其是電介質(zhì)管的端部處,很容易因附近的金屬部件和背面電極而產(chǎn)生異常放電的情況。
為了解決上述問題,本實(shí)用新型提供一種電暈預(yù)電離電極、激光振蕩器和準(zhǔn)分子激光裝置,即使在被施加了高電壓的背面電極尤其是電介質(zhì)管的端部處,也能杜絕或抑制因附近的金屬部件和背面電極而產(chǎn)生的異常放電。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第一方面,提供了一種電暈預(yù)電離電極,包括:電介質(zhì)管;預(yù)電離外電極,其與所述電介質(zhì)管的外表面接觸;背面電極,其插入到所述電介質(zhì)管中;
所述電暈預(yù)電離電極還包括:
固定管,其覆蓋所述背面電極的一部分;
其中,所述背面電極的在所述電介質(zhì)管的所述預(yù)電離外電極存在的部分處的外徑形成為比所述固定管的內(nèi)徑大。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第二方面,其中,所述電介質(zhì)管的內(nèi)徑形成為比所述固定管的外徑大。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第三方面,其中,所述電介質(zhì)管覆蓋所述固定管的一部分。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第四方面,其中,所述背面電極與所述固定管接觸的一側(cè)形成有錐形部,在所述錐形部處所述背面電極的外徑從所述一側(cè)的相反側(cè)向所述一側(cè)逐漸變小。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第五方面,其中,所述電介質(zhì)管在所述一側(cè)構(gòu)成為覆蓋所述固定管;所述固定管在所述一側(cè)構(gòu)成為覆蓋所述錐形部的一部分。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第六方面,其中,所述錐形部與所述背面電極的外徑較大的圓柱部接觸的第一部分、和所述錐形部與所述固定管接觸的第二部分通過平滑曲面連接。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第七方面,提供一種激光振蕩器,包括激光腔室;其中,所述激光腔室中配置有如上第一方面至第六方面任一項(xiàng)所述的電暈預(yù)電離電極。
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第八方面,提供一種準(zhǔn)分子激光裝置,其中,所述準(zhǔn)分子激光裝置包括如上第七方面所述的激光振蕩器。
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