[實(shí)用新型]一種低自放電陶瓷隔膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721527838.1 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-16 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207474560U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賴旭倫;麥偉杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東莞市賽普克電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01M2/16 | 分類號(hào)： | H01M2/16;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人： | 潘俊達(dá) |
| 地址： | 523000 廣東省*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 致密陶瓷 復(fù)合基膜 自放電 涂覆 本實(shí)用新型 陶瓷隔膜 正負(fù)極片 電池 耐熱性 毛刺 多孔陶瓷涂層 鋰離子電池 多孔基材 隔膜邊緣 分條 卷芯 復(fù)合 概率 制作 | ||
1.一種低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：包括由多孔基材和多孔陶瓷涂層復(fù)合而成的復(fù)合基膜，所述復(fù)合基膜的兩面均涂覆有致密陶瓷涂層，且所述致密陶瓷涂層涂覆在所述復(fù)合基膜的兩面的邊緣，所述致密陶瓷涂層的厚度為1~15μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：所述致密陶瓷涂層的厚度為2~10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：所述多孔陶瓷涂層為的厚度為1~15μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：所述多孔基材的厚度為10~30μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：所述多孔陶瓷涂層的孔隙率為40～80%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：所述多孔基材的孔隙率為30～60%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：所述復(fù)合基膜的孔隙率為35～75%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：所述多孔基材為聚烯烴膜或聚酰亞胺膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低自放電陶瓷隔膜，其特征在于：所述陶瓷涂層為二氧化硅涂層、三氧化二鋁涂層、二氧化鋯涂層、氧化鈹涂層、氮化鋁涂層、氮化硅涂層、碳化硅涂層或三氧化二釩涂層。
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