[實(shí)用新型]超大功率LED芯片以及超大功率LED器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721517174.0
• 申請(qǐng)日: 2017-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN207458944U
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李樹琪;張永慧;蔡勇;王庚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波天炬光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒;王茹

本實(shí)用新型公開了一種超大功率LED芯片以及超大功率LED器件。所述LED芯片的外延層包括復(fù)數(shù)個(gè)能獨(dú)立發(fā)光的單胞，所述LED芯片的外延層包括復(fù)數(shù)個(gè)能獨(dú)立發(fā)光的單胞，所述的復(fù)數(shù)個(gè)單胞相互串聯(lián)和/或并聯(lián)設(shè)置，所述的復(fù)數(shù)個(gè)單胞排布形成圓形或近似圓形的發(fā)光區(qū)。所述LED芯片上于除所述發(fā)光區(qū)之外的區(qū)域上還設(shè)置有若干個(gè)彼此電性隔離的芯片焊盤，由前述各單胞相互串聯(lián)和/或并聯(lián)形成的發(fā)光區(qū)工作電路與該等芯片焊盤電連接。所述芯片焊盤的尺寸在0.5mm×0.5mm以上。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的超大功率LED芯片具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、發(fā)光面積大、功率密度高，封裝工藝簡(jiǎn)單、封裝成本低等特點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種LED芯片，特別涉及一種超大功率LED芯片以及超大功率LED器件，屬于發(fā)光半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

某些大功率半導(dǎo)體照明燈具(如聚光燈、舞臺(tái)燈)需要大功率的同時(shí)，更需要光源高功率密度，即：同等功率下光源發(fā)光面積盡可能小。但傳統(tǒng)的LED COB光源一般是由多個(gè)小功率LED芯片組成，各芯片間存在一定的距離，因此很難獲得高功率密度。現(xiàn)有的集成高壓大功率LED芯片雖然能夠獲得相對(duì)較高的功率密度，但是目前此類芯片的發(fā)光面都呈方形或四邊形，其功率密度較之傳統(tǒng)的LED COB光源的提升幅度有限。另外，現(xiàn)有的正裝LED芯片都需要用金屬引線連接芯片電極和基座電極，導(dǎo)致封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜，封裝成本高等。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種超大功率LED芯片以及超大功率LED器件，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。

為實(shí)現(xiàn)前述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案包括：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種超大功率LED芯片，其外延層包括復(fù)數(shù)個(gè)能獨(dú)立發(fā)光的單胞，所述的復(fù)數(shù)個(gè)單胞相互串聯(lián)和/或并聯(lián)設(shè)置，所述的復(fù)數(shù)個(gè)單胞排布形成圓形或近似圓形的發(fā)光區(qū)。

進(jìn)一步的，所述LED芯片上于除所述發(fā)光區(qū)之外的區(qū)域上還設(shè)置有至少兩個(gè)彼此電性隔離的芯片焊盤，由所述復(fù)數(shù)個(gè)單胞相互串聯(lián)和/或并聯(lián)形成的發(fā)光區(qū)工作電路與所述的至少兩個(gè)芯片焊盤電連接。

進(jìn)一步的，所述芯片焊盤的尺寸在0.5mm×0.5mm以上。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種超大功率LED器件，其包括所述的超大功率LED芯片，并且所述超大功率LED芯片內(nèi)的芯片焊盤通過(guò)硬質(zhì)導(dǎo)線與電源電連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)包括：本實(shí)用新型提供的超大功率LED芯片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其中通過(guò)采用形成于外延層內(nèi)的多個(gè)作為基本發(fā)光單元的單胞以串聯(lián)和/或并聯(lián)的形式連接形成圓形發(fā)光面，一方面可以減少各基本發(fā)光單元之間的距離，另一方面也可以使在同等尺寸的芯片中獲得更大的發(fā)光面，從而有效提升其功率密度，同時(shí)還可在芯片上余留出更多的空間，進(jìn)而可以在芯片上設(shè)置尺寸更大的芯片焊盤，通過(guò)這些芯片焊盤可以直接連接硬質(zhì)導(dǎo)線，而無(wú)需采用金絲、鋁絲、銅絲等引線，可以大幅簡(jiǎn)化封裝結(jié)構(gòu)，節(jié)約封裝工序，并降低封裝成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型一典型實(shí)施案例中一種超大功率LED芯片中四個(gè)單胞組的連接排布示意圖；

圖2是本實(shí)用新型一典型實(shí)施案例中一種超大功率LED芯片中兩個(gè)單胞組的連接排布示意圖；

圖3是本實(shí)用新型一典型實(shí)施案例中一種超大功率LED芯片中一個(gè)單胞組的連接排布示意圖；

圖4是本實(shí)用新型一典型實(shí)施案例中一種具有近似圓形發(fā)光區(qū)的超大功率LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本實(shí)用新型圖4所示一種超大功率LED芯片結(jié)構(gòu)的局部放大圖；

圖6是本實(shí)用新型一典型實(shí)施案例中一種超大功率LED芯片連接硬質(zhì)導(dǎo)線的連接結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本實(shí)用新型一典型實(shí)施案例中一種具有圓形發(fā)光區(qū)的超大功率LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；