[實用新型]超大功率LED芯片以及超大功率LED器件

有效

• 申請號: 201721517174.0
• 申請日: 2017-11-14
• 公開（公告）號: CN207458944U
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 李樹琪;張永慧;蔡勇;王庚
• 申請（專利權）人: 寧波天炬光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒;王茹

本實用新型公開了一種超大功率LED芯片以及超大功率LED器件。所述LED芯片的外延層包括復數個能獨立發光的單胞，所述LED芯片的外延層包括復數個能獨立發光的單胞，所述的復數個單胞相互串聯和/或并聯設置，所述的復數個單胞排布形成圓形或近似圓形的發光區。所述LED芯片上于除所述發光區之外的區域上還設置有若干個彼此電性隔離的芯片焊盤，由前述各單胞相互串聯和/或并聯形成的發光區工作電路與該等芯片焊盤電連接。所述芯片焊盤的尺寸在0.5mm×0.5mm以上。本實用新型實施例提供的超大功率LED芯片具有結構簡單、發光面積大、功率密度高，封裝工藝簡單、封裝成本低等特點。

技術領域

本實用新型涉及一種LED芯片，特別涉及一種超大功率LED芯片以及超大功率LED器件，屬于發光半導體技術領域。

背景技術

某些大功率半導體照明燈具(如聚光燈、舞臺燈)需要大功率的同時，更需要光源高功率密度，即：同等功率下光源發光面積盡可能小。但傳統的LED COB光源一般是由多個小功率LED芯片組成，各芯片間存在一定的距離，因此很難獲得高功率密度。現有的集成高壓大功率LED芯片雖然能夠獲得相對較高的功率密度，但是目前此類芯片的發光面都呈方形或四邊形，其功率密度較之傳統的LED COB光源的提升幅度有限。另外，現有的正裝LED芯片都需要用金屬引線連接芯片電極和基座電極，導致封裝結構復雜，封裝成本高等。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于提供一種超大功率LED芯片以及超大功率LED器件，以克服現有技術的不足。

為實現前述實用新型目的，本實用新型采用的技術方案包括：

本實用新型實施例提供了一種超大功率LED芯片，其外延層包括復數個能獨立發光的單胞，所述的復數個單胞相互串聯和/或并聯設置，所述的復數個單胞排布形成圓形或近似圓形的發光區。

進一步的，所述LED芯片上于除所述發光區之外的區域上還設置有至少兩個彼此電性隔離的芯片焊盤，由所述復數個單胞相互串聯和/或并聯形成的發光區工作電路與所述的至少兩個芯片焊盤電連接。

進一步的，所述芯片焊盤的尺寸在0.5mm×0.5mm以上。

本實用新型實施例還提供了一種超大功率LED器件，其包括所述的超大功率LED芯片，并且所述超大功率LED芯片內的芯片焊盤通過硬質導線與電源電連接。

與現有技術相比，本實用新型的優點包括：本實用新型提供的超大功率LED芯片結構簡單，其中通過采用形成于外延層內的多個作為基本發光單元的單胞以串聯和/或并聯的形式連接形成圓形發光面，一方面可以減少各基本發光單元之間的距離，另一方面也可以使在同等尺寸的芯片中獲得更大的發光面，從而有效提升其功率密度，同時還可在芯片上余留出更多的空間，進而可以在芯片上設置尺寸更大的芯片焊盤，通過這些芯片焊盤可以直接連接硬質導線，而無需采用金絲、鋁絲、銅絲等引線，可以大幅簡化封裝結構，節約封裝工序，并降低封裝成本。

附圖說明

圖1是本實用新型一典型實施案例中一種超大功率LED芯片中四個單胞組的連接排布示意圖；

圖2是本實用新型一典型實施案例中一種超大功率LED芯片中兩個單胞組的連接排布示意圖；

圖3是本實用新型一典型實施案例中一種超大功率LED芯片中一個單胞組的連接排布示意圖；

圖4是本實用新型一典型實施案例中一種具有近似圓形發光區的超大功率LED芯片的結構示意圖；

圖5是本實用新型圖4所示一種超大功率LED芯片結構的局部放大圖；

圖6是本實用新型一典型實施案例中一種超大功率LED芯片連接硬質導線的連接結構示意圖；

圖7是本實用新型一典型實施案例中一種具有圓形發光區的超大功率LED芯片的結構示意圖；