[實用新型]超大功率LED芯片以及超大功率LED器件有效
| 申請號： | 201721517174.0 | 申請日： | 2017-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN207458944U | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 李樹琪;張永慧;蔡勇;王庚 | 申請（專利權）人： | 寧波天炬光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒;王茹 |
| 地址： | 315300 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超大功率LED 單胞 復數 芯片焊盤 發光區 發光 本實用新型 芯片 外延層 串聯 彼此電性 并聯設置 封裝工藝 工作電路 近似圓形 電連接 并聯 排布 封裝 隔離 | ||
1.一種超大功率LED芯片，其特征在于：所述LED芯片的外延層包括復數個能獨立發光的單胞，所述的復數個單胞相互串聯和/或并聯設置，所述的復數個單胞排布形成圓形或近似圓形的發光區。
2.根據權利要求1所述的超大功率LED芯片，其特征在于：所述的復數個單胞均串聯設置。
3.根據權利要求1所述的超大功率LED芯片，其特征在于：所述的復數個單胞組合形成兩個以上的單胞組，所述的兩個以上單胞組彼此并聯設置，且每一單胞組包括串聯設置的兩個以上單胞。
4.根據權利要求3所述的超大功率LED芯片，其特征在于：所述的兩個以上單胞組于所述發光區內對稱設置。
5.根據權利要求1所述的超大功率LED芯片，其特征在于：每一單胞的平面幾何形狀均為矩形，且各矩形的面積相同。
6.根據權利要求1所述的超大功率LED芯片，其特征在于：分布于所述發光區外周緣處的多個單胞均具有弧形側邊，該多個單胞的弧形側邊與所述發光區的邊界一致。
7.根據權利要求6所述的超大功率LED芯片，其特征在于：所有單胞的面積近似或相同。
8.根據權利要求1-7中任一項所述的超大功率LED芯片，其特征在于：所述LED芯片上于除所述發光區之外的區域上還設置有至少兩個彼此電性隔離的芯片焊盤，由所述復數個單胞相互串聯和/或并聯形成的發光區工作電路與所述的至少兩個芯片焊盤電連接。
9.根據權利要求8所述的超大功率LED芯片，其特征在于：所述芯片焊盤的尺寸在0.5mm×0.5mm以上。
10.一種超大功率LED器件，其特征在于包括權利要求8-9中任一項所述的超大功率LED芯片，并且所述超大功率LED芯片內的芯片焊盤通過硬質導線與電源電連接。
11.根據權利要求10所述的超大功率LED器件，其特征在于還包括散熱底座和/或封裝結構，所述超大功率LED芯片的與發光面相背的一側面經焊接層與散熱底座電連接，所述封裝結構包括至少覆蓋所述超大功率LED芯片的出光面的熒光層和設置在熒光層上的透鏡結構。
12.根據權利要求10所述的超大功率LED器件，其特征在于：所述硬質導線通過外電源用插接件與電源電連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
