[實(shí)用新型]一種具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721510080.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207517723U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 范凱平;徐亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/46 | 分類號(hào)： | H01L33/46;H01L33/20 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區(qū)獅*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光結(jié)構(gòu) 絕緣層 孔洞 半導(dǎo)體層 倒裝LED芯片 絕緣保護(hù) 反射層 側(cè)邊 高亮 刻蝕 源層 裸露 芯片 本實(shí)用新型 絕緣層表面 絕緣層覆蓋 透明導(dǎo)電層 表面沉積 出光效率 電場(chǎng)作用 保護(hù)層 有效地 良率 反射 遷移 覆蓋 | ||
1.一種具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片，包括；
襯底；
設(shè)于所述襯底表面的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)于所述襯底表面的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，貫穿所述第二半導(dǎo)體層和有源層并延伸至所述第一半導(dǎo)體層的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域；
設(shè)于所述第一半導(dǎo)體層表面、邊緣區(qū)域側(cè)邊和中心區(qū)域側(cè)邊的絕緣層；
依次設(shè)于所述第二半導(dǎo)體層和絕緣層表面的透明導(dǎo)電層、Ag鏡反射層、Ag鏡保護(hù)層和DBR反射層；
第一電極和第二電極，所述第一電極設(shè)置在所述中心區(qū)域，所述第二電極貫穿所述DBR反射層，并設(shè)置在所述Ag鏡保護(hù)層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片，其特征在于，所述邊緣區(qū)域的形狀為倒梯形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一電極的形狀為倒梯形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層在所述絕緣層上的表面積小于所述絕緣層的表面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片，其特征在于，所述Ag鏡反射層在所述絕緣層上的表面積大于所述透明導(dǎo)電層的表面積，且小于所述絕緣層的表面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片，其特征在于，所述Ag鏡保護(hù)層的表面積大于所述Ag鏡反射層的表面積，并將所述Ag鏡反射層覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片，其特征在于，所述DBR反射層的表面積大于所述Ag鏡保護(hù)層的表面積，并將所述Ag鏡保護(hù)層完全覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有絕緣保護(hù)結(jié)構(gòu)的高亮倒裝LED芯片，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的材質(zhì)為銦錫氧化物。
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