[實用新型]一種薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201721502998.0
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN207517700U
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 寧洪龍;胡詩犇;彭俊彪;姚日暉;盧寬寬;陶瑞強;蔡煒;劉賢哲;陳建秋;徐苗
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/45;H01L21/34
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 羅嘯秋

本實用新型屬于顯示器件領域，公開了一種薄膜晶體管。所述薄膜晶體管由襯底、襯底上設置的柵極、柵極表面包覆的絕緣層、絕緣層上表面的有源層、有源層兩側的源漏電極和最外層的鈍化層構成；所述源漏電極與有源層和絕緣層兩側及襯底上表面接觸，所述鈍化層覆蓋源漏電極和有源層外表面。本實用新型的薄膜晶體管中，鈍化層除了具有保護作用外，還具有與有源層共同作用，提高載流子濃度和加速載流子傳輸，從而提高遷移率的作用。

技術領域

本實用新型屬于顯示器件領域，具體涉及一種薄膜晶體管。

背景技術

近年來，由于面板朝著大尺寸、高分辨率和高刷新速率方向發展，對薄膜晶體管(Thin Film Transistors，TFT)的性能提出了更高的要求。顯示器件需要更低的阻抗延遲以滿足需求，氧化物薄膜晶體管因為其高遷移率，均勻性好，低成本的特點，得到了廣泛的應用。因此如何獲得器件低阻抗延遲是本領域技術人員需要解決的問題。

實用新型內容

針對以上現有技術存在的缺點和不足之處，本實用新型的目的在于提供一種薄膜晶體管。

本實用新型目的通過以下技術方案實現：

一種薄膜晶體管，由襯底、襯底上設置的柵極、柵極表面包覆的絕緣層、絕緣層上表面的有源層、有源層兩側的源漏電極和最外層的鈍化層構成；所述源漏電極與有源層和絕緣層兩側及襯底上表面接觸，所述鈍化層覆蓋源漏電極和有源層外表面。

所述的襯底是玻璃、石英、單晶硅、藍寶石或塑料。

所述的柵極的材料為鋁、多晶硅、銅、鉬、鉻或上述材料的合金。

優選地，所述柵極的厚度為50-10000nm。

優選地，所述絕緣層的厚度為2-1000nm。

所述的有源層為具有半導體特性的氧化物薄膜，優選為含銦氧化物的薄膜，特別優選為釹鋁銦鋅氧化物薄膜。

優選地，所述有源層的厚度為5-200nm。

優選地，所述的源漏電極的材料為純銅或銅合金，更優選為純銅。含銅電極具有低的電阻率，能夠有效降低阻抗延遲；源漏電極的溝道寬度和長度可根據實際需要設置。

優選地，所述絕緣層和鈍化層的材料為氧化鋁、氧化硅、氮化硅、氧化鉿、氧化鋯或氧化鈦。

優選地，所述鈍化層的厚度為2-5000nm。

本實用新型的薄膜晶體管可通過如下方法制備：

(1)在襯底使用直流磁控濺射的方法沉積50-10000nm的薄膜作為柵極，并使之圖形化；

(2)在柵極表面通過陽極氧化或化學氣相沉積的方法制備2-1000nm的不導電薄膜作為絕緣層；

(3)在絕緣層上表面沉積5-200nm的含銦氧化物半導體薄膜作為有源層，使之圖形化；

(4)在有源層上沉積一層含銅金屬薄膜，使之圖形化形成一定溝道寬度和長度的源漏電極；

(5)在整個器件表面沉積一層2-5000nm厚的不導電薄膜作為鈍化層；

(6)最后將整個器件在空氣、氧氣、氮氣或者氬氣的氣氛中，在20～500℃下退火5～600min，得到所述薄膜晶體管。

本實用新型的薄膜晶體管具有如下優點及有益效果：

(1)在本實用新型的薄膜晶體管中，鈍化層除了具有保護作用外，還具有與有源層共同作用，提高載流子濃度、促進電子傳輸，從而提高遷移率的作用。