[實用新型]一種薄膜晶體管有效
| 申請號： | 201721502998.0 | 申請日： | 2017-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN207517700U | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 寧洪龍;胡詩犇;彭俊彪;姚日暉;盧寬寬;陶瑞強;蔡煒;劉賢哲;陳建秋;徐苗 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 羅嘯秋 |
| 地址： | 511458 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 源層 薄膜晶體管 源漏電極 鈍化層 絕緣層 本實用新型 襯底 載流子 絕緣層上表面 襯底上表面 加速載流子 顯示器件 柵極表面 包覆的 遷移率 最外層 傳輸 覆蓋 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜晶體管，其特征在于：所述薄膜晶體管由襯底、襯底上設置的柵極、柵極表面包覆的絕緣層、絕緣層上表面的有源層、有源層兩側的源漏電極和最外層的鈍化層構成；所述源漏電極與有源層和絕緣層兩側及襯底上表面接觸，所述鈍化層覆蓋源漏電極和有源層外表面。
2.根據權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于：所述柵極的厚度為50-10000nm。
3.根據權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于：所述絕緣層的厚度為2-1000nm。
4.根據權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于：所述有源層的厚度為5-200nm。
5.根據權利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于：所述鈍化層的厚度為2-5000nm。
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