[實用新型]一種多晶硅鑄錠爐的晶體高度測量裝置

有效

• 申請號: 201721501070.0
• 申請日: 2017-11-13
• 公開（公告）號: CN207877928U
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 郭寬新;黃金強;馮強
• 申請（專利權）人: 蘇州晶櫻光電科技股份有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/06
• 代理公司: 南京蘇創專利代理事務所(普通合伙) 32273
• 代理人: 曹成俊

本實用新型公開了一種多晶硅鑄錠爐的晶體高度測量裝置，包括設置在爐體上的密封法蘭，密封法蘭中活動穿設有可以任意位置停留在密封法蘭內的測量石英棒，爐體外側上部設有測量支架，測量支架上設有測量刻度，測量支架上設有位置可上下調節的上限位裝置，測量支架上設有上下位置可調的下限位裝置，下限位裝置到密封法蘭上表面的距離為石英棒長度減去籽晶設定厚度表面到密封法蘭上表面的距離，石英棒頂部設有限位板，限位板套設在測量支架上且位于上限位裝置和下限位裝置之間的部分上，上限位裝置和下限位裝置之間的距離值大于等于結晶后的籽晶上表面到頂部保溫層頂面的距離值且小于石英棒的長度值。

技術領域

本實用新型涉及一種多晶硅鑄錠爐的晶體高度測量裝置。

背景技術

在多晶硅半熔鑄錠工藝中，使用多晶硅碎片鋪在坩堝底部作為籽晶，在熔化過程中控制硅料的熔化速度，在熔化結束步驟中保證底部剩余一定厚度的硅料，剩余的硅料作為長晶所需要的引晶材料，準確測量籽晶熔化程度成為決定硅錠質量的主要因素。

現行的測量方法為，將石英棒插入融化的硅液中，隨著石英棒的下降作為參照物的扎帶隨即向上移動，接觸籽晶時隨即提起石英棒，測量石英棒頂部到扎帶的距離，從而間接計算出此時的籽晶剩余高度。但是玻璃棒提時會影響扎帶的位置，進而影響測量的準確性。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是：提供一種快速、準確檢測底部籽晶剩余高度的晶體高度測量裝置。

為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案為：一種多晶硅鑄錠爐的晶體高度測量裝置，包括設置在爐體上的密封法蘭，密封法蘭中活動穿設有可以任意位置停留在密封法蘭內的測量石英棒，爐體外側上部設有測量支架，測量支架上設有測量刻度，測量支架上設有位置可上下調節的上限位裝置，測量支架上設有上下位置可調的下限位裝置，下限位裝置到密封法蘭上表面的距離為石英棒長度減去籽晶設定厚度表面到密封法蘭上表面的距離，石英棒頂部設有限位板，限位板套設在測量支架上且位于上限位裝置和下限位裝置之間的部分上，上限位裝置和下限位裝置之間的距離值大于等于結晶后的籽晶上表面到頂部保溫層頂面的距離值且小于石英棒的長度值。

本實用新型的有益效果是：本裝置可以快速、準確測量底部籽晶剩余高度的裝置，從而能準確做好籽晶預留，保證籽晶在生長過程中既能發揮出好的引晶效果，又能保證產品的良率不能浪費，從而節約成本，而且省時省力。另外，本裝置結構簡單，易于在原有設備上加裝，設備改造成本低。

本裝置還能通過調節上限位裝置位置來控制玻璃棒裸露在爐體外面的高度，從而避免玻璃棒裸露太多造成石英棒搖晃引起斷棒的隱患，或者裸露太短致使玻璃棒根部會溫度太高有彎棒的風險。

附圖說明

圖1是本實用新型的主視結構示意圖。

圖1中：1.加熱平臺，2坩堝，3.籽晶，4.石英棒，5.頂部保溫層，6.密封法蘭，7.測量支架。

具體實施方式

下面結合附圖，詳細描述本實用新型的具體實施方案。

如圖1所示，一種多晶硅鑄錠爐的晶體高度測量裝置，包括設置在爐體上的密封法蘭6，密封法蘭6中活動穿設有可以任意位置停留在密封法蘭6內的測量石英棒4，爐體外側上部設有測量支架7，測量支架7上設有測量刻度，測量支架7上設有位置可上下調節的上限位裝置，測量支架7上設有上下位置可調的下限位裝置，下限位裝置到密封法蘭6上表面的距離為石英棒4長度減去籽晶3設定厚度表面到密封法蘭6上表面的距離，石英棒4頂部設有限位板，限位板套設在測量支架7上且位于上限位裝置和下限位裝置之間的部分上，上限位裝置和下限位裝置之間的距離值大于等于結晶后的籽晶3上表面到頂部保溫層5頂面的距離值且小于石英棒4的長度值。