[實(shí)用新型]一種多晶硅鑄錠爐的晶體高度測(cè)量裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721501070.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207877928U | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭寬新;黃金強(qiáng);馮強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州晶櫻光電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B29/06 | 分類號(hào): | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司: | 南京蘇創(chuàng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32273 | 代理人: | 曹成俊 |
| 地址: | 215614 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)量支架 密封法蘭 下限位裝置 上限位裝置 上表面 石英棒 多晶硅鑄錠爐 高度測(cè)量裝置 爐體 籽晶 本實(shí)用新型 測(cè)量石英 厚度表面 上下調(diào)節(jié) 上下位置 限位板套 保溫層 可調(diào)的 減去 測(cè)量 停留 | ||
1.一種多晶硅鑄錠爐的晶體高度測(cè)量裝置,包括設(shè)置在爐體上的密封法蘭,密封法蘭中活動(dòng)穿設(shè)有可以任意位置停留在密封法蘭內(nèi)的測(cè)量石英棒,爐體外側(cè)上部設(shè)有測(cè)量支架,測(cè)量支架上設(shè)有測(cè)量刻度,測(cè)量支架上設(shè)有位置可上下調(diào)節(jié)的上限位裝置,測(cè)量支架上設(shè)有上下位置可調(diào)的下限位裝置,下限位裝置到密封法蘭上表面的距離為石英棒長(zhǎng)度減去籽晶設(shè)定厚度表面到密封法蘭上表面的距離,石英棒頂部設(shè)有限位板,限位板套設(shè)在測(cè)量支架上且位于上限位裝置和下限位裝置之間的部分上,上限位裝置和下限位裝置之間的距離值大于等于結(jié)晶后的籽晶上表面到頂部保溫層頂面的距離值且小于石英棒的長(zhǎng)度值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州晶櫻光電科技股份有限公司,未經(jīng)蘇州晶櫻光電科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721501070.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種多晶硅鑄錠爐蓋板
- 下一篇:水冷裝置及單晶硅生長(zhǎng)爐





