[實用新型]一種線圈盤座、線圈盤及電磁加熱裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721498565.2
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN207369345U
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳金華;任玉潔
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司
• 主分類號: H05B6/40
• 分類號: H05B6/40
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 胡海國

本實用新型公開一種線圈盤座、線圈盤及電磁加熱裝置，線圈盤座應(yīng)用于電磁加熱裝置，該線圈盤座包括盤座本體，盤座本體的上盤面形成有由內(nèi)至外依次環(huán)設(shè)的內(nèi)環(huán)繞線區(qū)、環(huán)形間隔區(qū)及外環(huán)繞線區(qū)；內(nèi)環(huán)繞線區(qū)的內(nèi)邊緣與外環(huán)繞線區(qū)的外邊緣共同限制出一環(huán)形磁感區(qū)；環(huán)形間隔區(qū)的中環(huán)線鄰近環(huán)形磁感區(qū)的中環(huán)線設(shè)置。本實用新型線圈盤座通過在盤座本體的上盤面形成環(huán)形磁感區(qū)，并將環(huán)形磁感區(qū)分為內(nèi)環(huán)繞線區(qū)及外環(huán)繞線區(qū)，并在內(nèi)環(huán)繞線區(qū)與外環(huán)繞線區(qū)之間設(shè)置環(huán)形間隔區(qū)，同時還進一步地將環(huán)形間隔區(qū)的中環(huán)線鄰近環(huán)形磁感區(qū)的中環(huán)線設(shè)置，使得線圈盤座整體的磁場分布更加均勻，電磁加熱裝置加熱更為均勻，從而提高加熱效率，改善加熱效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電磁加熱領(lǐng)域，特別涉及一種線圈盤座、線圈盤及電磁加熱裝置。

背景技術(shù)

目前，用于烹飪的電磁加熱裝置已普遍利用線圈盤作為加熱源。電磁加熱裝置在工作時，利用高頻交流電通過線圈盤產(chǎn)生磁場以使放置在電磁加熱裝置上的鍋具底部產(chǎn)生渦流，從而對電磁爐上設(shè)置的鍋具進行加熱?，F(xiàn)有技術(shù)中，線圈盤所產(chǎn)生的磁場是不均勻的，導致靠近線圈盤中心的位置對應(yīng)鍋具的溫度明顯大于遠離線圈盤的中心位置對應(yīng)的鍋具溫度，使得鍋具加熱不均勻，影響加熱效果。特別地，在線圈盤磁場較集中的位置對應(yīng)的鍋具會出現(xiàn)溫度高峰，容易使該位置的烹飪物燒焦。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的主要目的是提出一種線圈盤座，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中電磁加熱裝置加熱不均勻的技術(shù)問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出的線圈盤座，包括盤座本體，所述盤座本體的上盤面形成有由內(nèi)至外依次環(huán)設(shè)的內(nèi)環(huán)繞線區(qū)、環(huán)形間隔區(qū)及外環(huán)繞線區(qū)；所述內(nèi)環(huán)繞線區(qū)的內(nèi)邊緣與所述外環(huán)繞線區(qū)的外邊緣共同限制出一環(huán)形磁感區(qū)；

所述環(huán)形間隔區(qū)的中環(huán)線鄰近所述環(huán)形磁感區(qū)的中環(huán)線設(shè)置。

優(yōu)選地，所述環(huán)形磁感區(qū)的環(huán)寬為L0，所述環(huán)形間隔區(qū)的中環(huán)線到所述內(nèi)環(huán)繞線區(qū)內(nèi)邊緣之間的距離為L1，其中：40％L0≤L1≤60％L0。

優(yōu)選地，45％L0≤L1≤55％L0。

優(yōu)選地，所述環(huán)形磁感區(qū)在水平面上的投影面積為S0，所述環(huán)形間隔區(qū)在水平面上的投影面積為S1，其中：S1/S0≤20％。

優(yōu)選地，10％≤S1/S0≤15％。

優(yōu)選地，所述外環(huán)繞線區(qū)所在區(qū)域于水平面上的投影面積為S2，所述內(nèi)環(huán)繞線區(qū)所在區(qū)域于水平面上的投影為S3，其中：S2/S3＞1。

優(yōu)選地，所述內(nèi)環(huán)繞線區(qū)上成形有內(nèi)環(huán)線槽；所述外環(huán)繞線區(qū)上成形有外環(huán)線槽。

本實用新型還提出一種線圈盤，該線圈盤包括內(nèi)環(huán)線圈、外環(huán)線圈及一種線圈盤座，該線圈盤座包括盤座本體，所述盤座本體的上盤面形成有由內(nèi)至外依次環(huán)設(shè)的內(nèi)環(huán)繞線區(qū)、環(huán)形間隔區(qū)及外環(huán)繞線區(qū)；所述內(nèi)環(huán)繞線區(qū)的內(nèi)邊緣與所述外環(huán)繞線區(qū)的外邊緣共同限制出一環(huán)形磁感區(qū)；所述環(huán)形間隔區(qū)的中環(huán)線鄰近所述環(huán)形磁感區(qū)的中環(huán)線設(shè)置。其中，所述內(nèi)環(huán)線圈繞設(shè)于所述線圈盤座的內(nèi)環(huán)繞線區(qū)，所述外環(huán)線圈繞設(shè)于所述線圈盤座的外環(huán)繞線區(qū)。