[實用新型]一種同步隨機動態存儲器

有效

• 申請號: 201721496745.7
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN207458916U
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 常佰剛;陳斐;劉成君
• 申請（專利權）人: 北京七星華創微電子有限責任公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/488;H01L27/108
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;李相雨

本實用新型提供一種同步隨機動態存儲器，包括：底座、基片和芯片；底座上開設有第一凹槽，在第一凹槽的底部開設有第二凹槽，芯片位于第二凹槽內，芯片的焊盤在第二凹槽中朝上設置，基片在芯片之上，基片上設有孔，基片的孔的面積小于芯片的面積，基片上的孔與芯片的焊盤對應設置，基片的頂面高度低于第一凹槽的上表面的高度，芯片和基片通過壓焊絲連接，基片和底座通過壓焊絲連接。本實用新型底座上設置兩個凹槽，將芯片放置于下面的凹槽內，使整體高度減小，由于基片的孔比芯片小，剛好壓在芯片兩側，但芯片的焊盤處于基片的孔的位置上，基片和芯片的壓焊絲的高度和橫向距離均相對于現有技術減小，減小了塌絲。

技術領域

本實用新型涉及電子器件領域，更具體地，涉及一種同步隨機動態存儲器。

背景技術

隨著現代電子技術的發展，數字電子技術集成化程度越來越高，較小的體積(內部腔體體積)就需要通過合理的工藝設計實現數據的輸入輸出，滿足電性能指標要求。存儲器電路的小型化、輕量化、集成化、低功耗成為新型半導體電子技術的重要要求。

HSD1616G型256Mbit同步隨機動態存儲器電路用戶要求的外形尺寸：≤11.00mm×11.00mm×2.10mm。產品要求的封裝形式為CLGA96無引線陶瓷管殼封裝，并且由于芯片上的壓點都集中在X方向中線上，要從四周均勻引出，考慮到軍用高低溫、氣密性環境試驗和電性能指標的要求，采用傳統的厚膜電路工藝制造技術基本做不到，按照常規產品封裝規范，是很難實現的，對于產品內部布線，芯片粘接、基片裝配都提出了更高要求，必須調整思路，尋求一種新的工藝設計技術，才能完成設計要求。

HSD1616G型SDRAM是一種高速CMOS同步DRAM。采用CLGA96無引線片式陶瓷封裝。其屬于集成電路，芯片13和基片12通過金絲球焊實現可靠性連接，目前采用傳統的厚膜生產工藝制作。傳統的厚膜生產工藝外殼使用平行封焊，一般采用至少厚1.65mm的陶瓷底座11、96％氧化鋁陶瓷基片12，而且厚度為0.635mm，在此基片12上印刷設計好的版圖，將高度為0.4mm的存儲器芯片13粘接在此基片12上，粘接材料選用5020膜1，芯片13上焊盤通過金絲球焊實現與基片12上導體的連接，底座11上部通過真空熔封焊接鍍金殼蓋14，采用此生產工藝整個結構高度將達到4.4mm，高度(要求2.1mm)和長、寬均不滿足小型化要求。原結構圖如圖1。

另外，由于芯片在基片上邊，有0.4mm的高度落差，高密度的壓焊絲(如圖2所示)都集中在基片中央，由于壓焊點沒有高度差，很容易造成塌絲并形成相互短路，造成芯片功能異常。

實用新型內容

本實用新型提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的同步隨機動態存儲器。

第一方面，本實用新型提供一種同步隨機動態存儲器，包括：底座、基片和芯片；

所述底座上開設有第一凹槽，在所述第一凹槽的底部開設有第二凹槽，所述芯片位于所述第二凹槽內，所述芯片的焊盤在所述第二凹槽中朝上設置，所述基片在所述芯片之上，所述基片上設有孔，所述基片的孔的面積小于所述芯片的面積，所述基片上的孔與所述芯片的焊盤對應設置，所述基片的頂面高度低于所述第一凹槽的上表面的高度，所述芯片和所述基片通過壓焊絲連接，所述基片和所述底座通過壓焊絲連接。

優選的，還包括墊片；

所述墊片中間設有孔，所述墊片位于所述第二凹槽內，所述芯片位于所述墊片的孔內，所述基片位于所述墊片上。

優選的，所述基片為薄膜基片。

優選的，所述薄膜基片為微晶玻璃。

優選的，所述基片的厚度為0.127mm。

優選的，所述墊片的厚度為0.2mm。

優選的，在所述底座上粘接有一層薄膜，所述墊片和所述芯片位于所述薄膜上。