[實用新型]一種有機發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721486136.3 | 申請日: | 2017-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN207977352U | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王志建;白四平;吳香蘭;宋紅林 | 申請(專利權)人: | 武漢光谷創(chuàng)元電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 麥振聲;楊思捷 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發(fā)光二極管 離子注入層 申請 針孔 致密 發(fā)光效率 層結(jié)構 結(jié)合力 沉積 | ||
本申請?zhí)峁┮环N具有離子注入層的有機發(fā)光二極管(OLED)。在本申請的OLED中,在離子注入層上后續(xù)沉積的層結(jié)構更致密,具有極少的針孔數(shù),使得本申請的OLED在發(fā)光效率和結(jié)合力方面優(yōu)于現(xiàn)有OLED。
技術領域
本申請涉及有機發(fā)光二極管(OLED)領域,具體涉及一種具有離子注入層的OLED及其制備方法。
背景技術
有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode, UIV OLED)又稱有機電激光顯示、有機發(fā)光半導體,具有自發(fā)光、廣視角、幾乎無窮高的對比度、較低耗電、極高反應速度等優(yōu)點,因而廣泛運用于手機、數(shù)碼攝像機、DVD機、個人數(shù)字助理(PDA)、筆記本電腦、汽車音響和電視。
現(xiàn)有技術的OLED多層結(jié)構如圖1所示,可包括陽極(Anode)、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EM)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、及金屬陰極(Cathode)。在設計上究竟選用多少層材料,須視各層材料能階分布狀況而定。采用多層結(jié)構的目的是為了造成如階梯形式的能階狀態(tài),使分別從陽極和陰極所提供的空穴和電子更容易傳輸至發(fā)光層,結(jié)合而后放出光子。而在材料的使用上,會適量加入摻雜來調(diào)節(jié)所需的能階狀態(tài)。
傳統(tǒng)OLED制備工藝如下:
① 采用磁控濺射或蒸發(fā)鍍膜工藝在透明柔性薄膜或玻璃基板上沉積ITO,作為陽極;
② 采用蒸發(fā)鍍膜工藝在沉積有ITO薄膜的基板上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層,形成多層結(jié)構;
③ 采用蒸發(fā)鍍膜或磁控濺射工藝在多層結(jié)構上沉積金屬電極,作為陰極,最終形成OLED。
采用傳統(tǒng)的磁控濺射或熱蒸發(fā)鍍膜工藝制備的ITO薄膜與基板結(jié)合力較差,針孔多。結(jié)合力差影響OLED器件長期使用的可靠性,尤其對于柔性透明導電薄膜,需要ITO與柔性透明薄膜具有更高的結(jié)合力,以增加器件壽命。針孔多會使ITO薄膜的電阻率提高,降低導電性能。
類似地,傳統(tǒng)的熱蒸發(fā)鍍膜或磁控濺射工藝制作金屬電極帶來較多的針孔,增加了電極電阻和功函數(shù),降低了導電性,影響整個器件的特性,如使OLED亮度減弱。此外會導致剝離強度低,影響OLED器件的可靠性。
因此,在本領域中,期望實現(xiàn)在陽極與基板之間以及在金屬電極與例如電子注入層之間的高結(jié)合力、減少的針孔甚至無針孔、以及改進的導電性能,從而得到性能提高的OLED。
發(fā)明內(nèi)容
本申請的一個方面是提供一種有機發(fā)光二極管,該有機發(fā)光二極管包括與基板相鄰的第一相鄰層和與金屬陰極相鄰的第二相鄰層,其特征在于其特征在于具有以下至少一個離子注入層:
(i)在所述基板面向所述第一相鄰層的表面上設置的第一離子注入層;
(ii)在所述第二相鄰層面向所述金屬陰極的表面上設置的第二離子注入層。
也就是說,本申請的有機發(fā)光二極管可僅具有第一離子注入層,或僅具有第二離子注入層,或同時具有第一和第二離子注入層兩者。
根據(jù)一個實施方案,在本申請的有機發(fā)光二極管中,所述第一離子注入層的摻雜劑量為1x1014ions/ cm2-1x1016ions/ cm2,所述第二離子注入層的摻雜劑量為1x1014ions/cm2-1x1016ions/ cm2。
根據(jù)另一個實施方案,在本申請的有機發(fā)光二極管中,所述第一離子注入層和第二離子注入層的厚度各自為約1nm-20nm,例如約3-15nm,或約3-10nm,或約5nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢光谷創(chuàng)元電子有限公司,未經(jīng)武漢光谷創(chuàng)元電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721486136.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





