[實用新型]一種有機發光二極管

有效

• 申請號: 201721486136.3
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN207977352U
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 王志建;白四平;吳香蘭;宋紅林
• 申請（專利權）人: 武漢光谷創元電子有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 麥振聲;楊思捷

1.一種有機發光二極管，該有機發光二極管包括與基板相鄰的第一相鄰層和與金屬陰極相鄰的第二相鄰層，其特征在于具有以下至少一個離子注入層：

(i)在所述基板面向所述第一相鄰層的表面上設置的第一離子注入層；

(ii)在所述第二相鄰層面向所述金屬陰極的表面上設置的第二離子注入層。

2.根據權利要求1的有機發光二極管，其中所述第一離子注入層的摻雜劑量為1x10¹⁴ions/cm²-1x10¹⁶ions/cm²，所述第二離子注入層的摻雜劑量為1x10¹⁴ions/cm²-1x10¹⁶ions/cm²。

3.根據權利要求1或2的有機發光二極管，其中所述第一離子注入層和第二離子注入層的厚度各自為1nm-20nm。

4.根據權利要求3的有機發光二極管，其中所述第一離子注入層和第二離子注入層的厚度各自為3-15nm。

5.根據權利要求3的有機發光二極管，其中所述第一離子注入層和第二離子注入層的厚度各自為3-10nm。

6.根據權利要求3的有機發光二極管，其中所述第一離子注入層和第二離子注入層的厚度各自為5nm。

7.根據權利要求1或2的有機發光二極管，其中所述第一相鄰層為陽極。

8.根據權利要求7的有機發光二極管，其中所述陽極為通過等離子體沉積工藝形成的ITO薄膜。

9.根據權利要求1或2的有機發光二極管，其中所述第二相鄰層為電子注入層。

10.根據權利要求1或2的有機發光二極管，其中所述金屬陰極通過等離子體沉積工藝形成，其材料選自Mg、Ag、Al、Mo、Ca、Li或其合金。

11.根據權利要求1或2的有機發光二極管，其中所述第一離子注入層中的摻雜離子與第一相鄰層的材料種類相同，所述第二離子注入層中的摻雜離子與金屬陰極的材料種類相同。

12.根據權利要求8的有機發光二極管，其中所述第一離子注入層中摻雜離子的金屬類型包括Sn、In或其合金；所述第二離子注入層中摻雜離子的金屬類型包括Mg、Ag、Al、Mo、Ca、Li或其合金。

13.根據權利要求10的有機發光二極管，其中所述第一離子注入層中摻雜離子的金屬類型包括Sn、In或其合金；所述第二離子注入層中摻雜離子的金屬類型包括Mg、Ag、Al、Mo、Ca、Li或其合金。

14.根據權利要求1或2的有機發光二極管，其中所述基板選自玻璃、PI膜、PET膜、LCP薄膜。

15.根據權利要求7的有機發光二極管，其中在所述陽極和所述金屬陰極之間設置有多層結構，該多層結構包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層和電子注入層。

16.根據權利要求15的有機發光二極管，其中在所述多層結構中還包含一個或多個另外的功能層。

17.根據權利要求16的有機發光二極管，其中所述另外的功能層選自表面改性層、電子阻擋層、空穴阻擋層。

18.根據權利要求1或2的有機發光二極管，其中在具有第一離子注入層的情況下，所述基板和所述第一相鄰層之間的結合力大于0.5N/m；在具有第二離子注入層的情況下的情況下，所述金屬陰極和所述第二相鄰層之間的結合力大于0.5N/m。