[實(shí)用新型]引線框架陣列及封裝體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721476897.0 | 申請日： | 2017-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN207367964U | 公開（公告）日： | 2018-05-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡黎強(qiáng);孫順根;周占榮;李陽德;陳家旺 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海晶豐明源半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽;高翠花 |
| 地址： | 201204 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 引線 框架 陣列 封裝 | ||
1.一種引線框架陣列，包括多個(gè)引線框架，其特征在于，每一引線框架包括一用于放置至少一芯片的基島、一與所述基島連接的第一類型引腳及至少三個(gè)能夠與所述芯片采用金屬引線連接的第二類型引腳，所述第一類型引腳與部分所述第二類型引腳設(shè)置在所述基島的同一側(cè)，另一部分所述第二類型引腳設(shè)置在所述基島的另一側(cè)，所述第一類型引腳的寬度大于所述第二類型引腳的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架陣列，其特征在于，所述第一類型引腳的寬度范圍為0.76mm～0.85mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架陣列，其特征在于，所述基島相對于所述第一類型的引腳向下凹陷。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架陣列，其特征在于，所述基島與所述第一類型引腳的連接處具有一傾斜面，所述傾斜面的傾斜角的范圍為50～70度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架陣列，其特征在于，每一引線框架具有一封裝區(qū)域，在所述封裝區(qū)域內(nèi)，所述引線框架表面全部覆蓋鍍銀層，或者所述引線框架的部分表面具有條形鍍銀層。
6.一種封裝體，其特征在于，包括一引線框架、至少一芯片及塑封所述引線框架及所述芯片的塑封體；所述引線框架包括基島、一與所述基島連接的第一類型引腳及至少三個(gè)能夠與所述芯片采用金屬引線連接的第二類型引腳，所述第一類型引腳與部分所述第二類型引腳設(shè)置在所述基島的同一側(cè)，另一部分所述第二類型引腳設(shè)置在所述基島的另一側(cè)，所述第一類型引腳的寬度大于所述第二類型引腳的寬度；所述芯片設(shè)置在所述基島上，所述第二類型引腳與所述芯片通過金屬引線連接；所述第一類型引腳及所述第二類型引腳突出于所述塑封體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝體，其特征在于，所述第一類型引腳的寬度范圍為0.76mm～0.85mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝體，其特征在于，所述基島相對于所述第一類型的引腳向下凹陷。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝體，其特征在于，所述基島與所述第一類型引腳的連接處具有一傾斜面，所述傾斜面的傾斜角的范圍為50～70度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝體，其特征在于，在所述塑封體塑封區(qū)域內(nèi)，所述引線框架表面全部覆蓋鍍銀層，或者所述引線框架的部分表面具有條形鍍銀層。
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