[實用新型]一種改善碳化硅晶棒端面研磨的治具有效
| 申請號: | 201721457509.4 | 申請日: | 2017-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN207372944U | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發明(設計)人: | 賴柏帆;蘇雙圖 | 申請(專利權)人: | 福建北電新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/30 | 分類號: | B24B37/30;B24B37/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 362211 福建省泉州*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 碳化硅 端面 研磨 | ||
本實用新型公開了一種改善碳化硅晶棒端面研磨的治具,包括上圓盤、螺紋圓柱體和下圓盤,所述上圓盤中部開設有柱體安裝孔,且上圓盤側面均勻開設有固定孔,所述固定孔內部安裝有螺柱結構,且螺柱結構下方安裝在下圓盤上開設的螺紋孔內部,所述上圓盤中部開設的柱體安裝孔與螺紋圓柱體螺接在一起,且螺紋圓柱體上方開設的凹槽內部安裝有碳化硅晶棒。該改善碳化硅晶棒端面研磨的治具,采用膠水將帶有螺紋圓柱體端面上的凹槽內部粘住碳化硅晶棒的端面,不僅避免了夾持過程中出現崩角,提高了產品的品質和良率,端面定向精度由于在端面研磨過程中不會出現向傳統晶棒那樣難以夾持易滑動的情況下,定向精度也得到了有效提高。
技術領域
本實用新型涉及晶棒端面研磨技術領域,具體為一種改善碳化硅晶棒端面研磨的治具。
背景技術
碳化硅是繼第一代半導體Si、第二代半導體GaAs,InP等之后發展起來的重要的第三代半導體材料,具有禁帶寬度大,熱導率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高和相對介電常數低等的特點,在高溫、高頻、大功率、微電子器件等方面和航天、軍工、核能等極端環境應用有著不可替代的優勢,因此,碳化硅是微電子、電力電子和光電子等高新技術進入21世紀后賴以持續發展的重要半導體材料之一,近年來迅速滲透到照明,電力器件,微波射頻等,已成為國際關注的焦點,在下一代功率器件的制造和外延生長中,對單晶材料最終的表面質量有嚴格的要求,想得到一片完整的碳化硅襯底,需要經過很多道工序進行加工,因此,切割前對碳化硅晶棒端面進行定向和研磨是必不可少的,然而由于碳化硅晶棒很短(8-25mm),采用治具裝夾到碳化硅晶棒時,容易導致晶棒邊緣出現崩角或夾不住狀況,現有尋找碳化硅端面和端面研磨的方法,主要是將碳化硅晶棒放在三爪卡盤上夾住,然后將三爪卡盤放在定向儀可調節X向和Y向的治具上,進行碳化硅晶棒端面的定向,但是由于碳化硅本身晶棒較短(8-25mm),采用三爪卡盤固定碳化硅晶棒圓邊,一方面很難將晶棒有效夾住,另一方面在夾住的過程由于碳化硅晶棒很硬,容易在夾緊的過程中造成崩邊,影響碳化硅晶棒的品質。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種改善碳化硅晶棒端面研磨的治具,以解決上述背景技術中提出的采用三爪卡盤固定碳化硅晶棒圓邊,一方面很難將晶棒有效夾住,另一方面在夾住的過程由于碳化硅晶棒很硬,容易在夾緊的過程中造成崩邊,影響碳化硅晶棒的品質的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種改善碳化硅晶棒端面研磨的治具,包括上圓盤、螺紋圓柱體和下圓盤,所述上圓盤中部開設有柱體安裝孔,且上圓盤側面均勻開設有固定孔,所述固定孔內部安裝有螺柱結構,且螺柱結構下方安裝在下圓盤上開設的螺紋孔內部,所述固定孔下方中部開設有定位孔,所述上圓盤中部開設的柱體安裝孔與螺紋圓柱體螺接在一起,且螺紋圓柱體上方開設的凹槽內部安裝有碳化硅晶棒。
優選的,所述上圓盤內部的固定孔上安裝的螺柱結構有螺柱體和固定螺母共同組成,且螺柱體穿過固定孔中部通過固定螺母緊箍在一起,同時螺柱體底部螺接在下圓盤上開設的螺紋孔內部。
優選的,所述上圓盤和下圓盤通過螺柱結構固定在一起通過定位孔放到定向儀上的定位銷上。
優選的,所述上圓盤和下圓盤大小結構相同,且下圓盤上開設的螺紋孔與上圓盤上開設的固定孔位置相對應,同時上圓盤上開設的固定孔的直徑大于螺柱體的直徑,并且下圓盤上開設的螺紋孔的直徑與螺柱體的直徑相同。
優選的,所述螺紋圓柱體端面大于碳化硅晶棒的端面,且碳化硅晶棒端面中部開設的凹槽內部粘住碳化硅晶棒的端面。
優選的,所述螺紋圓柱體與上圓盤中部開設的柱體安裝孔可拆卸螺接在一起,且柱體安裝孔安裝在上圓盤內部底部位于同一平面。
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