[實用新型]MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結構有效
| 申請號: | 201721453112.8 | 申請日: | 2017-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN207760033U | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發明(設計)人: | 孫躍;林挺宇;徐慶泉;林海斌;趙曉宏 | 申請(專利權)人: | 紐威仕微電子(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/02 | 分類號: | B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00;G01H11/08 |
| 代理公司: | 無錫盛陽專利商標事務所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顧吉云;陳松 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市蠡園經*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 水聽器 布線層 功能芯片 無源器件 封裝層 上表面 源器件 芯片 扇出型封裝 芯片封裝工藝 本實用新型 芯片倒裝 倒裝 封裝 包圍 | ||
本實用新型提供MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結構,以解決現有技術中MEMS水聽器芯片封裝工藝封裝尺寸過大,可靠性不夠好以及工藝復雜,成本高的問題,包括:RDL布線層,MEMS水聽器芯片,所述MEMS水聽器芯片倒裝在所述RDL布線層的上表面上;功能芯片、無源器件以及有源器件,所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件分別倒裝在所述RDL布線層的上表面上;封裝層,所述封裝層布置在所述RDL布線層的上表面上,且將所述MEMS水聽器芯片、所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件包圍在所述封裝層中。
技術領域
本實用新型涉及水聽器技術領域,具體為MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結構。
背景技術
水聽器,又稱水下傳聲器,其能夠將水下的壓力變化而產生聲信號轉換為電信號,從而能夠可靠的得到水下的壓力,常被用于聲場的測繪、聲傳感器的檢測標定以及超聲設備的檢測校準和性能評估等聲學領域的研究。隨著科學技術的不斷發展和進步,水聽器的應用技術也逐漸發展成熟。
現有的壓電MEMS水聽器芯片與各個功能模塊器件是分別獨立的連接在PCB板上然后再用塑料盒包裝起來的,此種封裝方式最大的不足之處在于封裝尺寸過大,可靠性不夠好以及工藝復雜,成本高。
實用新型內容
針對以上所述現有技術的缺點,本實用新型的目的在于提供MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結構,以解決現有技術中MEMS水聽器芯片封裝工藝封裝尺寸過大,可靠性不夠好以及工藝復雜,成本高的問題。
其技術方案是這樣的:MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結構,其特征在于,包括:
RDL布線層,所述RDL布線層包括上表面和與所述上表面相對的下表面;
MEMS水聽器芯片,所述MEMS水聽器芯片倒裝在所述RDL布線層的上表面上;
功能芯片、無源器件以及有源器件,所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件分別倒裝在所述RDL布線層的上表面上;
封裝層,所述封裝層布置在所述RDL布線層的上表面上,且將所述MEMS水聽器芯片、所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件包圍在所述封裝層中。
進一步的,所述RDL布線層包括第一RDL布線層和堆疊在所述第一RDL布線層之上第二RDL布線層,所述第一RDL布線層的上表面上設有銅柱,所述封裝層的頂面與所述銅柱的頂面持平,所述第一RDL布線層和所述第二RDL布線層之間通過銅柱、焊錫連接,所述MEMS水聽器芯片貼裝在所述第二RDL布線層,所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件分別倒裝在所述第一RDL布線層上。
進一步的,所述第二RDL布線層的下表面下設置有焊球下金屬和焊球;
進一步的,所述RDL布線層包括金屬線路和設置在所述金屬線路之間的絕緣介質層,所述MEMS水聽器芯片、所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件的引腳分別連接所述金屬線路,所述銅柱、所述焊球下金屬和所述焊球分別連接所述金屬線路。
進一步的,所述無源器件包括電阻、電容、電感、濾波器、天線,所述功能芯片包括DSP芯片,所述有源器件包括升壓電路,降壓電路,驅動電路。
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