[實(shí)用新型]MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721453112.8
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN207760033U
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫躍;林挺宇;徐慶泉;林海斌;趙曉宏
• 申請（專利權(quán)）人: 紐威仕微電子（無錫）有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00;G01H11/08
• 代理公司: 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32227
• 代理人: 顧吉云;陳松

1.MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括：

RDL布線層，所述RDL布線層包括上表面和與所述上表面相對的下表面；

MEMS水聽器芯片，所述MEMS水聽器芯片倒裝在所述RDL布線層的上表面上；

功能芯片、無源器件以及有源器件，所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件分別倒裝在所述RDL布線層的上表面上；

封裝層，所述封裝層布置在所述RDL布線層的上表面上，且將所述MEMS水聽器芯片、所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件包圍在所述封裝層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述RDL布線層包括第一RDL布線層和堆疊在所述第一RDL布線層之上第二RDL布線層，所述第一RDL布線層的上表面上設(shè)有銅柱，所述封裝層的頂面與所述銅柱的頂面持平，所述第一RDL布線層和所述第二RDL布線層之間通過銅柱、焊錫連接，所述MEMS水聽器芯片貼裝在所述第二RDL布線層，所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件分別倒裝在所述第一RDL布線層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二RDL布線層的下表面下設(shè)置有焊球下金屬和焊球。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述RDL布線層包括金屬線路和設(shè)置在所述金屬線路之間的絕緣介質(zhì)層，所述MEMS水聽器芯片、所述功能芯片、所述無源器件以及所述有源器件的引腳分別連接所述金屬線路，所述銅柱、所述焊球下金屬和所述焊球分別連接所述金屬線路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述無源器件包括電阻、電容、電感、濾波器、天線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述功能芯片包括DSP芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS水聽器芯片的扇出型封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述有源器件包括升壓電路，降壓電路，驅(qū)動電路。