[實用新型]晶圓運載盒及用于晶圓運載盒的下保持件有效
| 申請號: | 201721440177.9 | 申請日: | 2017-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN207409467U | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 黃世欽;陳湘縈;陳延方;陳昶瑋 | 申請(專利權)人: | 中勤實業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;許榮文 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持件 晶圓 運載盒 底座 側限位槽 容置空間 下限位槽 限位單元 固持壁 蓋體 界定 卡匣 可分離地 前后方向 上限位槽 位置相對 相接處 壁面 頂側 蓋合 夾取 兩壁 破片 匣件 種晶 偏離 | ||
1.一種晶圓運載盒,包含:一外殼及一限位單元,該外殼包括一底座及一可分離地蓋合于該底座的蓋體,該底座與該蓋體共同界定出一容置空間,該限位單元位于該容置空間內,并包括一設于該底座的下保持件、一設于該蓋體的上保持件,及一位于該下保持件與該上保持件之間的卡匣件;其特征在于:
該卡匣件具有兩個彼此相對且在一左右方向上相間隔的固持壁,且所述固持壁形成多個各自在一上下方向上延伸且彼此在一前后方向上并排的側限位槽,各該側限位槽的上、下兩端均呈開放狀,該上保持件形成多個分別對應所述側限位槽的上限位槽,該下保持件形成多個分別對應所述側限位槽的下限位槽,各該下限位槽由兩個在頂側相間隔而在底側相接的壁面所界定并于該兩壁面的相接處形成一槽底,且該槽底的位置相對于其上方對應的該側限位槽的中心位置較往該前后方向上的一側偏離,且所述下限位槽的所述槽底往同一側偏離對應的所述側限位槽的中心位置。
2.根據權利要求1所述晶圓運載盒,其特征在于:界定各該下限位槽的其中一該壁面于側視時為一直立面且其中另一該壁面于側視時為一傾斜面。
3.根據權利要求2所述晶圓運載盒,其特征在于:該下保持件具有一底板部及兩個由該底板部的左右兩側往上延伸的支撐部,所述下限位槽形成于所述支撐部頂端且朝上并互相遠離的方向斜向延伸。
4.根據權利要求1所述晶圓運載盒,其特征在于:該卡匣件還具有一連接于該兩固持壁的前緣且呈H形的前壁,及一連接于該兩固持壁的后緣且與該前壁相對的后壁。
5.根據權利要求4所述晶圓運載盒,其特征在于:各該下限位槽的該槽底的位置相對于對應的該側限位槽的中心位置較往后側偏離。
6.根據權利要求5所述晶圓運載盒,其特征在于:各該下限位槽的該槽底的位置對齊對應的該側限位槽的后側邊。
7.根據權利要求5所述晶圓運載盒,其特征在于:各該下限位槽的該槽底的位置相對于對應的該側限位槽的后側邊較往后側偏離。
8.根據權利要求5至7中任一項所述晶圓運載盒,其特征在于:界定各該下限位槽的該兩壁面中較靠近該前壁者為傾斜面且較靠近該后壁者為直立面。
9.根據權利要求4所述晶圓運載盒,其特征在于:各該下限位槽的該槽底的位置相對于對應的該側限位槽的中心位置較往前側偏離。
10.根據權利要求9所述晶圓運載盒,其特征在于:各該下限位槽的該槽底的位置對齊對應的該側限位槽的前側邊。
11.根據權利要求9所述晶圓運載盒,其特征在于:各該下限位槽的該槽底的位置相對于對應的該側限位槽的前側邊較往前側偏離。
12.根據權利要求9至11中任一項所述晶圓運載盒,其特征在于:界定各該下限位槽的該兩壁面中較靠近該后壁者為傾斜面且較靠近該前壁者為直立面。
13.根據權利要求1所述晶圓運載盒,其特征在于:該上保持件與該蓋體一體連接。
14.一種用于晶圓運載盒的下保持件,該晶圓運載盒包括一底座、一可分離地蓋合于該底座的蓋體及一卡匣件,該底座與該蓋體共同界定出一容置空間,該卡匣件設置于該容置空間并包含兩個彼此相對且在一左右方向上相間隔的固持壁及多個形成于所述固持壁并各自在一上下方向上延伸且彼此在一前后方向上并排的側限位槽,各該側限位槽的上、下兩端均呈開放狀,其中,該下保持件的特征在于:
該下保持件形成有多個下限位槽,各該下限位槽分別對應一該側限位槽并由兩個在頂側相間隔而在底側相接的壁面所界定并于該兩壁面的相接處形成一槽底,且該槽底的位置相對于其上方對應的該側限位槽的中心位置較往該前后方向上的一側偏離,且所述下限位槽的所述槽底往同一側偏離對應的該側限位槽的中心位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





