[實用新型]噴頭組件和處理腔室

有效

• 申請號: 201721410228.3
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN207690758U
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: T·J·富蘭克林;S·E·巴巴揚;P·A·克勞思
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

公開了噴頭組件和處理腔室。本文中描述的實施例總體涉及一種基板處理設備，并且更具體地涉及一種用于基板處理設備的改進噴頭組件。噴頭組件包括氣體分配板和一個或多個溫度檢測組件。氣體分配板包括具有頂表面和底表面的主體。一個或多個溫度檢測組件與氣體分配板的頂表面對接，使得在氣體分配板與一個或多個溫度檢測組件中的每一者之間形成熱結合。每個溫度檢測組件包括突出特征和溫度探測器。突出特征與氣體分配板的頂表面對接，使得軸向負載沿著突出特征的軸線而放置在氣體分配板上。溫度探測器定位在突出特征的主體中。

技術領域

本文中描述的實施例總體涉及一種基板處理設備，并且更具體地涉及一種用于基板處理設備的改進噴頭組件。

背景技術

經由等離子體氣體執行對半導體基板的“干法”蝕刻(也被稱為反應離子蝕刻(RIE))的半導體處理系統要求持續監測。雖然可能預先定義蝕刻參數并且允許系統執行不監測的蝕刻工藝監測，但是系統內的狀況可能隨時間而改變。例如，監測基板處理設備的噴頭組件的溫度幫助提供溫度反饋，溫度反饋可以幫助維持穩定工藝控制。蝕刻氣體的組成或壓力或工藝腔室或基板的溫度的微小變化產生不期望的蝕刻結果。

因此，需要一種用于基板處理設備的改進噴頭組件。

實用新型內容

本文中描述的實施例總體涉及一種基板處理設備，并且更具體地涉及一種用于基板處理設備的改進噴頭組件。噴頭組件包括氣體分配板和一個或多個溫度檢測組件。氣體分配板包括具有頂表面和底表面的主體。一個或多個溫度檢測組件與氣體分配板的頂表面物理對接。每個溫度檢測組件包括突出特征和溫度探測器。突出特征與氣體分配板的頂表面接觸。溫度探測器定位在突出特征中。

在另一實施例中，本文中公開了一種處理腔室。處理腔室包括基板支撐構件和噴頭組件。基板支撐構件被配置為支撐基板。噴頭組件包括氣體分配板和一個或多個溫度檢測組件。氣體分配板包括具有頂表面和底表面的主體。一個或多個溫度檢測組件與氣體分配板的頂表面對接。每個溫度檢測組件包括軸向加載的突出特征和溫度探測器。突出特征與氣體分配板的頂表面結合。溫度探測器定位在突出特征中。

在另一實施例中，本文中公開了一種處理基板的方法。在處理腔室的處理區域中形成等離子體。處理區域限定在噴頭組件與基板支撐組件之間。噴頭組件包括氣體分配板。基板支撐組件被配置為支撐基板。利用溫度檢測組件對氣體分配板的溫度進行監測。溫度檢測組件與氣體分配板的頂表面對接，使得在氣體分配板與溫度檢測組件之間形成熱結合。溫度檢測組件包括突出特征和溫度探測器。突出特征與氣體分配板的頂表面對接，使得軸向負載沿著突出特征的軸線而放置在氣體分配板上。溫度探測器由突出特征支撐。 溫度探測器被配置為對氣體分配板的溫度進行監測。然后，基于由溫度檢測組件監測的溫度調節工藝配方。

附圖說明

因此，為了詳細理解本公開內容的上述特征結構所用方式，可參考實施例得到上文所簡要概述的本公開內容的更具體的描述，一些實施例示出在附圖中。然而，應當注意，附圖僅示出了本公開內容的典型實施例，并且因此不應視為限制本公開內容的范圍，因為本公開內容可允許其它等效實施例。

圖1示出了根據一個實施例的處理腔室的截面圖。

圖2示出了根據一個實施例的圖1的噴頭組件的局部截面圖。

圖3A示出了根據一個實施例的圖1和圖2的氣體分配板的俯視圖。

圖3B示出了根據一個實施例的圖1和圖2的氣體分配板的俯視圖。

圖4示出了根據一個實施例的圖1和圖2的噴頭組件的俯視圖。

為了清楚起見，已盡可能使用相同附圖標記指定各圖所共有的相同要素。另外，一個實施例中的要素可有利地適于用于本文中描述的其它實施例。

具體實施方式