[實用新型]一種器件封裝結構

有效

• 申請號: 201721402619.0
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN207529971U
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 李友民;李軍政;朱明軍;劉群明;陸紫珊
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/54
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;唐京橋

本實用新型提供的一種器件封裝結構，包括通過快速成型技術形成的金屬層、倒裝芯片、塑封體；所述倒裝芯片安裝于所述金屬層上，所述塑封體包裹所述倒裝芯片和除所述金屬層底面之外的部分所述金屬層；所述金屬層和所述倒裝芯片形成連通電路。本實用新型通過快速成型技術形成的金屬層代替了傳統技術中電鍍技術形成的金屬層，避免了產生金屬毛刺、加工復雜和環境污染的問題，而且，采用金屬層的結構，在最終形成的器件封裝結構中去除基板也能實現電氣連接，使得器件封裝結構能夠做得更薄。

技術領域

本實用新型涉及器件封裝技術領域，尤其涉及一種器件封裝結構。

背景技術

傳統技術中，IC倒裝芯片與外部電路的連接是通過金屬引線鍵合(Wire Bonding)的方式實現。

LED(light emitting diode)，即發光二極管，作為新型高效固體光源，具有長壽命、節能、綠色環保等顯著優點，是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一次飛躍，被認為是第3代的照明新技術，其經濟和社會意義巨大。

傳統LED產品的倒裝封裝方式是通過在基板上電鍍一層金屬層，然后將金屬層腐蝕出一定的圖案，然后將LED倒裝芯片倒裝在金屬層上。然后在倒裝芯片表面覆蓋符合要求的封裝膠體并固化，完成整個LED倒裝芯片的倒裝封裝流程。

然而，這種倒裝LED器件封裝方法，第一個方面是帶有基板，造成封裝完的結構厚度大，難以符合如今產品做薄的需求；第二個方面是現有的LED器件封裝方法通常在基板上電鍍金屬層，這樣的金屬層由于是電鍍出來的，因此金屬層邊緣會產生大量毛刺，容易損傷電子元件和降低效率，并且采用電鍍方式制備金屬層時，在一片基板上生成多片小金屬層會造成小金屬層之間或小金屬層與其他單元有金屬連接，后期處理麻煩，批量生產的時候造成工藝復雜；最后，電鍍還是對環境有害的工藝，產生大量電鍍液，造成環境污染。

因此，現有的器件封裝結構厚度大、金屬層邊緣有大量毛刺、金屬連接處理麻煩、造成環境污染是本領域技術人員需要解決的技術問題。

實用新型內容

本實用新型提供了一種器件封裝結構，用于解決現有的器件封裝結構厚度大、金屬層邊緣有大量毛刺、金屬連接處理麻煩、造成環境污染的技術問題。

本實用新型提供的一種器件封裝結構，包括通過快速成型技術形成的金屬層、倒裝芯片和塑封體；

所述倒裝芯片安裝于所述金屬層上，所述塑封體包裹所述倒裝芯片和除所述金屬層底面之外的部分所述金屬層；

所述金屬層和所述倒裝芯片形成連通電路。

優選地，所述金屬層具體分為若干個獨立金屬單元，各個獨立金屬單元之間無任何連接。

優選地，所述獨立金屬單元具體為倒梯形結構。

優選地，所述金屬層的厚度為0.015mm至2.0mm。

優選地，所述金屬層的厚度為0.015mm至1.0mm。

優選地，所述器件封裝結構的厚度為0.15mm至3.0mm。

優選地，所述金屬層為單層結構。

優選地，所述金屬層具體為采用可焊性材料制成的單質金屬層，使得倒裝芯片能焊接在金屬層上。

優選地，所述金屬層具體為金層或者銀層。

從以上技術方案可以看出，本實用新型實施例具有以下優點：