[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201721391865.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN207303112U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 李磊;樊君;李付強;劉泰洋
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 滕一斌

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術領域的發展，各種具有顯示功能的產品出現在日常生活中，例如手機、平板電腦、電視機、筆記本電腦、數碼相框、導航儀、虛擬現實(英文：Virtual Reality；簡稱：VR)等，這些產品都無一例外的需要裝配顯示面板。

目前，大部分顯示面板可以包括陣列基板、彩膜基板以及位于陣列基板與彩膜基板之間的液晶層，陣列基板包括襯底基板以及形成在襯底基板上的陣列排布的多個薄膜晶體管(英文：Thin Film Transistor；簡稱TFT)。對于VR產品而言，為了不影響VR的3D(英文：Three-Dimensional)顯示效果，需要提高陣列基板中的每英寸的像素個數(英文：Pixels Per Inch；簡稱：PPI)，可以通過減小TFT中源極與漏極之間的距離，進而減小像素的尺寸，從而可以提高陣列基板的PPI。

但是，如果TFT中的源極與漏極之間的距離過小，在形成該源極與漏極時，源極與漏極容易短接，導致對應的TFT短路，因此生成的TFT容易出現產品不良。

實用新型內容

本申請提供了一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，可以解決現有的生成的TFT容易出現產品不良問題。所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種薄膜晶體管，包括：

柵極圖形、有源層圖形和位于所述柵極圖形和所述有源層圖形之間的柵絕緣層；

所述薄膜晶體管還包括：第一導電圖形、第二導電圖形和位于所述第一導電圖形和所述第二導電圖形之間的第一中間絕緣層；

其中，所述第一導電圖形和所述第二導電圖形分別為源極圖形和漏極圖形；

所述第一中間絕緣層上設置有第一過孔，所述第二導電圖形通過所述第一過孔與所述有源層圖形連接。

可選的，所述薄膜晶體管還包括：第二中間絕緣層；

所述有源層圖形、所述柵絕緣層、所述柵極圖形、所述第二中間絕緣層、所述第一導電圖形、所述第一中間絕緣層和所述第二導電圖形依次疊加設置；

所述第二中間絕緣層上設置有第二過孔和第三過孔，所述第一導電圖形通過所述第二過孔與所述有源層圖形連接，所述第二導電圖形依次通過所述第一過孔和所述第三過孔與所述有源層圖形連接。

可選的，所述柵絕緣層上設置有第四過孔和第五過孔，

所述第一導電圖形依次通過所述第二過孔和所述第四過孔與所述有源層圖形連接，所述第二導電圖形依次通過所述第一過孔、所述第三過孔和所述第五過孔與所述有源層圖形連接。

可選的，所述柵極圖形、所述柵絕緣層、所述有源層圖形、所述第一導電圖形、所述第一中間絕緣層和所述第二導電圖形依次疊加設置。

第二方面，提供了一種薄膜晶體管的制造方法，所述方法包括：

在襯底基板上形成柵極圖形、有源層圖形、柵絕緣層、第一導電圖形、第二導電圖形和第一中間絕緣層；

其中，所述柵絕緣層位于所述柵極圖形與所述有源層圖形之間，所述第一中間絕緣層位于所述第一導電圖形與所述第二導電圖形之間；

所述第一導電圖形和所述第二導電圖形分別為源極圖形和漏極圖形；

所述第一中間絕緣層上設置有第一過孔，所述第二導電圖形通過所述第一過孔與所述有源層圖形連接。

可選的，所述在襯底基板上形成柵極圖形、有源層圖形、柵絕緣層、第一導電圖形、第二導電圖形和第一中間絕緣層，包括：

在所述襯底基板上依次形成所述有源層圖形、所述柵絕緣層、所述柵極圖形、第二中間絕緣層、所述第一導電圖形、所述第一中間絕緣層和所述第二導電圖形；

其中，所述第二中間絕緣層上設置有第二過孔和第三過孔，所述第一導電圖形通過所述第二過孔與所述有源層圖形連接，所述第二導電圖形依次通過所述第一過孔和所述第三過孔與所述有源層圖形連接；

或者，在所述襯底基板上依次形成所述柵極圖形、所述柵絕緣層、所述有源層圖形、所述第一導電圖形、所述第一中間絕緣層和所述第二導電圖形。

第三方面，提供了一種陣列基板，包括：

襯底基板；

所述襯底基板上依次設置有薄膜晶體管和像素電極圖形，所述薄膜晶體管為第一方面所述的薄膜晶體管；

所述像素電極圖形與所述第一導電圖形和所述第二導電圖形之一電連接。

可選的，所述陣列基板還包括：在所述薄膜晶體管上設置的平坦層；