[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201721391865.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN207303112U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 李磊;樊君;李付強;劉泰洋
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

柵極圖形、有源層圖形和位于所述柵極圖形和所述有源層圖形之間的柵絕緣層；

所述薄膜晶體管還包括：第一導電圖形、第二導電圖形和位于所述第一導電圖形和所述第二導電圖形之間的第一中間絕緣層；

其中，所述第一導電圖形和所述第二導電圖形分別為源極圖形和漏極圖形；

所述第一中間絕緣層上設置有第一過孔，所述第二導電圖形通過所述第一過孔與所述有源層圖形連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述薄膜晶體管還包括：第二中間絕緣層；

所述有源層圖形、所述柵絕緣層、所述柵極圖形、所述第二中間絕緣層、所述第一導電圖形、所述第一中間絕緣層和所述第二導電圖形依次疊加設置；

所述第二中間絕緣層上設置有第二過孔和第三過孔，所述第一導電圖形通過所述第二過孔與所述有源層圖形連接，所述第二導電圖形依次通過所述第一過孔和所述第三過孔與所述有源層圖形連接。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述柵絕緣層上設置有第四過孔和第五過孔，

所述第一導電圖形依次通過所述第二過孔和所述第四過孔與所述有源層圖形連接，所述第二導電圖形依次通過所述第一過孔、所述第三過孔和所述第五過孔與所述有源層圖形連接。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述柵極圖形、所述柵絕緣層、所述有源層圖形、所述第一導電圖形、所述第一中間絕緣層和所述第二導電圖形依次疊加設置。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

所述襯底基板上依次設置有薄膜晶體管和像素電極圖形，所述薄膜晶體管為權利要求1至4任一所述的薄膜晶體管；

所述像素電極圖形與所述第一導電圖形和所述第二導電圖形之一電連接。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述陣列基板還包括：在所述薄膜晶體管上設置的平坦層；

所述平坦層上設置有第六過孔，所述像素電極圖形通過所述第六過孔與所述第一導電圖形和所述第二導電圖形之一電連接。

7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述陣列基板還包括：遮光層圖形和緩沖層；

所述遮光層圖形、所述緩沖層和所述薄膜晶體管依次疊加設置；

其中，所述薄膜晶體管還包括：第二中間絕緣層，所述有源層圖形、所述柵絕緣層、所述柵極圖形、所述第二中間絕緣層、所述第一導電圖形、所述第一中間絕緣層和所述第二導電圖形依次疊加設置。

8.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述源極圖形包括源極，所述漏極圖形包括漏極，

所述源極在所述襯底基板上的正投影與所述漏極在所述襯底基板上的正投影之間的間隙為0，且所述源極在所述襯底基板上的正投影與所述漏極在所述襯底基板上的正投影不存在重合區域。

9.根據權利要求5至8任一所述的陣列基板，其特征在于，

所述陣列基板還包括：在所述像素電極圖形上設置的鈍化層和公共電極圖形。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括：權利要求5至9任一所述的陣列基板。