[實用新型]一種正裝結構的LED芯片

有效

• 申請號: 201721381811.6
• 申請日: 2017-10-24
• 公開（公告）號: CN207338422U
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 陳明輝;吳質樸;何畏;陳強
• 申請（專利權）人: 江門市奧倫德光電有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/20;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 梁嘉琦

1.一種正裝結構的LED芯片，其特征在于：包括襯底，所述襯底上表面設置有外延層，所述外延層包括由下至上依次設置的緩沖層、N型GaN層、多量子阱層和P型GaN層，所述P型GaN上設置有ITO導電層，在ITO導電層上設置有導電金屬作為P電極；所述外延層通過刻蝕P型GaN層到達N型GaN層形成低臺階，所述低臺階上保留有一凸起的GaN小島，GaN小島上設置有N電極。

2.根據權利要求1所述的一種正裝結構的LED芯片，其特征在于：所述GaN小島上端窄下端寬，側面為一斜面。

3.根據權利要求2所述的一種正裝結構的LED芯片，其特征在于：所述斜面的坡度范圍為72°±5°。

4.根據權利要求1-3任一所述的一種正裝結構的LED芯片，其特征在于：所述N電極完全覆蓋GaN小島。

5.根據權利要求4所述的一種正裝結構的LED芯片，其特征在于：所述GaN小島的高度與P型GaN層的上表面高度相同。

6.根據權利要求5所述的一種正裝結構的LED芯片，其特征在于：所述N電極的上表面與P電極的上表面持平。