[實用新型]一種用于晶體生長的抽真空裝置有效
| 申請號: | 201721369100.7 | 申請日: | 2017-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN207468773U | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 唐華純;李中波 | 申請(專利權)人: | 上海御光新材料科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B23/00 | 分類號: | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201807 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抽真空裝置 晶體生長 本實用新型 坩堝 晶體生長過程 溫度低于熔點 控制晶體 爐內壓力 內部壓力 生長裝置 易氧化 熔融 氣壓 分解 應用 優化 保證 | ||
1.一種用于晶體生長的抽真空裝置,其特征在于,包括第一干泵(1)、第二干泵(2)、與爐體依次連接的第一氣動插板閥(3)、第二氣動插板閥(4)、與第一氣動插板閥相連接的第一分子泵(5)、與第二氣動插板閥相連接的第二分子泵(6)、與第一分子泵相連接的第一氣動閥(7)、與第二分子泵相連接的第二氣動閥(8)、與爐體相連接真空規(9)、與真空規相連接的第三氣動閥(10)、與所述第一氣動閥、第二氣動閥分別連接的連接的壓力計(11)、變頻器(12)、第四氣動閥(13),所述第四氣動閥與壓力計連接,所述變頻器分別與第二干泵、第四氣動閥相連接,所述第一氣動閥、第二氣動閥、第三氣動閥分別與第一干泵相連接。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述抽真空裝置還包括第五氣動閥(14),所述第五氣動閥用于當爐體壓力過大時瀉壓。
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