[實用新型]一種用于晶體生長的抽真空裝置

有效

• 申請號: 201721369100.7
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN207468773U
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 唐華純;李中波
• 申請（專利權）人: 上海御光新材料科技股份有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型涉及到一種用于晶體生長的抽真空裝置，通過生長裝置中抽真空裝置在晶體生長過程中合理的控制坩堝內部的氣壓，對爐內壓力場進行優化，從而來保證坩堝內部壓力的合理分布從而控制晶體的品質，本實用新型用于晶體生長的抽真空裝置，其結構簡單，用于一系列易氧化、非一致熔融或分解溫度低于熔點的化合物的晶體生長，具有廣泛的應用價值。

【技術領域】

本實用新型涉及單晶生長技術領域，尤其是涉及一種用于晶體生長的抽真空裝置。

【背景技術】

半導體集成電路單晶具有寬禁帶，高導熱，高電子飽和遷移速率，高擊穿電場等特性，適合于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，抗腐蝕的電子器件，可廣泛應用與固體照明，航空航天，通訊，海洋勘探，地震預報，石油鉆井，汽車電子化燈重要領域，被稱為第三代半導體的典型材料。目前，商業上大多數半導體集成電路晶體生長采用物理氣相傳輸法(PVT法)，當前，碳化硅單晶的生長主要采用PVT法。但存在大量的微管和位錯等缺陷嚴重的影響著晶體的品質，而產生缺陷的重要因素就是坩堝內部溫度分布不合理。SIC單晶生長包含原料升華，質量傳輸，在籽晶上結晶三個過程。坩堝內部的氣壓決定了升華的速率。升華氣體是利用坩堝內部的溫度梯度來進行質量運輸的，傳統設備在坩堝內形成較大軸向溫度梯度的同時也在晶體生長面產生較大的徑向溫度梯度。

【實用新型內容】

鑒于以上所述，本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種用于晶體生長的抽真空裝置，能夠在晶體生長過程中合理的控制坩堝內部的氣壓，對爐內壓力場進行優化，從而來保證坩堝內部壓力的合理分布從而控制晶體的品質。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種用于晶體生長的抽真空裝置，包括：

第一干泵、第二干泵、與爐體依次連接的第一氣動插板閥、第二氣動插板閥、與第一氣動插板閥相連接的第一分子泵、與第二氣動插板閥相連接的第二分子泵、與第一分子泵相連接的第一氣動閥、與第二分子泵相連接的第二氣動閥、與爐體相連接真空規、與真空規相連接的第三氣動閥、與所述第一氣動閥、第二氣動閥分別連接的連接的壓力計、變頻器、第四氣動閥，所述第四氣動閥與壓力計連接，所述變頻器分別與第二干泵、第四氣動閥相連接，所述第一氣動閥、第二氣動閥、第三氣動閥分別與第一干泵相連接。

進一步提供一種實現方式，所述抽真空裝置還包括第五氣動閥，所述第五氣動閥用于當爐體壓力過大時瀉壓。

由上述技術方案可知，本實用新型實施例通過生長裝置中抽真空裝置在晶體生長過程中合理的控制坩堝內部的氣壓，對爐內壓力場進行優化，從而來保證坩堝內部壓力的合理分布從而控制晶體的品質，本實用新型晶體生長裝置，其結構簡單，用于一系列易氧化、非一致熔融或分解溫度低于熔點的化合物的晶體生長，具有廣泛的應用價值。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型一實施例提供的一種用于晶體生長的抽真空裝置的結構示意圖。

【具體實施方式】

為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的全部其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

如圖1所示，本實用新型提供一種用于晶體生長的抽真空裝置，包括：