[實用新型]打磨裝置

有效

• 申請號: 201721368497.8
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN207255871U
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 莊挺挺;洪承健;董剛強;郁操
• 申請（專利權）人: 君泰創新（北京）科技有限公司
• 主分類號: B24B7/07
• 分類號: B24B7/07;B24B7/22;B24B41/06;B24B49/12;H01L31/18
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司11252
• 代理人: 周放,姜溯洲

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池的制造技術，尤其涉及一種打磨裝置。

背景技術

異質結非晶硅/晶硅太陽能電池HIT(Hetero-junction with Intrinsic Thin layer，又名HJT)是目前主流的幾種高效太陽能電池技術之一。異質結非晶硅/晶硅太陽能電池有著高的轉化效率，低的溫度系數，是太陽能電池發展的重要方向之一。選取合格的硅片進行清洗、硅片雙面制絨、在硅片正面與背面沉積上本征的氫化硅非晶硅層，然后對硅片正面進行p層摻雜與背面進行n層摻雜的非晶硅薄膜層沉積，再對正面與背面濺射沉積透明的導電薄膜層，最后將導電漿料通過絲網印刷形成柵極電極，最終形成雙面發電的電池。在硅片表面上沉積非晶硅本征層、摻雜層、導電層時，硅片的側面也會沉積非晶硅本征層、摻雜層、導電層，不進行絕緣處理就會引起正面與反面的電池短路，影響到雙面電池發電的效率。目前常見兩種絕緣方法如下：

方法一：通過在硅片表面的邊緣和硅片的側面張貼高溫膜膠帶，再沉積非晶硅薄膜與導電層，在導電層沉積結束后再去除膜膠帶，形成絕緣區域。這種方法的缺點是：硅片每個邊緣面積都損失約1mm，如果是人工張貼那么硅片每個邊緣面積損失甚至大于1mm。

方法二：使用激光的方式在HIT電池片上刻劃隔離槽，隔離槽距離電池片邊緣0.1mm至1mm，該方法同樣會造成硅片的面積損失，從而造成電池發電有效面積的減小。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種打磨裝置，以解決現有技術中的問題，減少硅片的損失，提高電池的發電有效面積。

本實用新型提供了一種打磨裝置，其中，包括：

用于固定待打磨件的支撐架；

磨邊組件，所述磨邊單元用于對所述待打磨件的邊緣進行打磨；

圖像采集單元，用于采集待打磨件的待打磨區域的位置信息；

驅動單元，驅動磨邊組件在打磨過程中移動；

控制器，分別與所述圖像采集單元和所述驅動單元信號連接，用于根據所述位置信息控制所述驅動單元動作，以驅動所述磨邊組件。

如上所述的打磨裝置，其中，優選的是，所述磨邊組件包括固定架、電動機和磨頭，所述電動機設置在固定架上，所述磨頭與所述電動機的輸出軸傳動連接；所述固定架與所述驅動單元傳動連接。

如上所述的打磨裝置，其中，優選的是，所述支撐架還包括支撐立柱和托盤，所述托盤設置在所述支撐立柱上。

如上所述的打磨裝置，其中，優選的是，所述托盤上設置有用于固定待打磨件的吸附件。

如上所述的打磨裝置，其中，優選的是，所述托盤上設置多個吸氣孔，所述吸附件固定在所述吸氣孔上。

如上所述的打磨裝置，其中，優選的是，所述吸附件為真空吸盤。

如上所述的打磨裝置，其中，優選的是，所述磨頭上設置有膠粒。

如上所述的打磨裝置，其中，優選的是，所述圖像采集裝置為相機。

如上所述的打磨裝置，其中，優選的是，還包括自由行走架，所述支撐架或所述打磨組件設置在所述自由行走架上。

本實用新型提供的打磨裝置，通過設置支撐架來承載待打磨件，并利用打磨組件對待打磨件進行打磨，其可以磨掉硅片邊緣的厚度約為0.1-1um，那么生長在硅片側面的膜層也會隨之去除，起到HIT正面與反面絕緣的效果的同時，減少了硅片的損失，提高了發電有效面積。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的打磨裝置的結構示意圖；

圖2為支撐架的結構示意圖。

附圖標記說明：

1-支撐架 11-吸附件 12-托盤 13-支撐立柱 2-固定架 3-電動機 4-磨頭 5-圖像采集裝置 6-硅片

具體實施方式

下面詳細描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的限制。

圖1為本實用新型實施例提供的打磨裝置的結構示意圖，如圖1所示，本實用新型實施例提供了一種打磨裝置，用于對待打磨件進行打磨，該待打磨件在本實施例中可以是硅片6。該打磨裝置包括支撐架1、磨邊組件、圖像采集單元5、驅動單元和控制器。