[實用新型]一種逆E類功率放大電路

有效

• 申請號: 201721366598.1
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN207283501U
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 馬紅玲;王巖琴;崔洪藝
• 申請（專利權）人: 寧波德晶元科技有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F3/19;H03F3/217;H03F3/24
• 代理公司: 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(普通合伙)33243
• 代理人: 龍洋

技術領域

本實用新型涉及功率放大電路，尤其涉及一種逆E類功率放大電路。

背景技術

射頻功率放大器位于發射機的末端，是整個系統中消耗能量最多，產生熱量最高的單元，是通訊系統中的關鍵電路。射頻功率放大器工作效率直接決定了整個發射系統的功耗、穩定性，以及對電源和散熱裝置的需求與限制。尤其對于電池供電的手持設備，在相同的功率輸出的條件下，射頻功率放大器效率越高，電池供電的時間越長，越是有利于手持設備的小型化。

如圖1現有逆E類功放的電路原理圖所示。MOS管M等效為一個理想開關，MOS管M漏極與電感L串聯之后與第一電容C1并聯；扼流圈電感L_RFC的一端與電源連接另一端連接電感L；為了防止直流分量源直接給負載供電，在負載回路上串聯了隔直電容C2(若負載為交流負載，該電容可以省略)。

在穩態時：

若輸入信號從低電平變為高電平，MOS管M導通，此時MOS管M上有電流經過，電感L充電，導通的瞬間節點A點電位為0；若輸入信號從高電平變為低電平，MOS管截止。

然而現有逆E類功率放大電路有以下缺陷，開關斷開后，由于電感具有電流不能突變的特性，電感L會產生感應電動勢，A點電壓瞬間升高，起開關作用MOS管M在頻率很低時的寄生電容可以忽略不計，因而MOS管M可能會被擊穿損毀并且會有能量損耗；開關再次閉合的瞬間，由于電感L的作用不能保證A點電壓為0，會有能量損耗。

綜上所述，需要對現有技術中的逆E類進行結構上的改進，確定在開關閉合瞬間，節點A的電壓為0，保證輸出效率為100％。

發明內容

本實用新型的目的是針對現有技術的缺陷，提供一種逆E類功率放大電路，該電路較現有逆E類功率放大電路，能夠保證逆E類功率放大電路的開關閉合瞬間，節點A的電勢為0，確保電路的輸出效率為100％，其相比現有逆E類功率放大電路具有發射效率更高，穩定性更強的特點。

為了達到以上目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種逆E類功率放大電路，包括：

第一扼流圈電感L_RFC、第一電感L1、第一MOS管M、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3以及負載，所述第一扼流圈L_RFC的一端與電源連接，第一扼流圈L_RFC的另一端與第一電感L1一端、第一電容C1的一端、第二電容C2的一端以及第三電容C3的一端相連，所述第一電感L1的另一端與第一MOS管M的一端相連以及與第一電容C1的另一端相連，所述第三電容C3的另一端和負載相連，所述第一MOS管M的另一端接地，所述第二電容C2的另一端接地，所述負載的另一端接地。

進一步地，所述第一電容C1，用于保護電路。

進一步地，所述第三電容C3，用于隔斷電路中的直流分量。

進一步地，第一MOS管M的漏極和第一電感L1相連，第一MOS管M的源極接地。

進一步地，所述第一MOS管為N溝道增強型MOS管。

進一步地，還包括濾波電路，

所述濾波電路的一端與第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端以及第二電容C2的一端相連，所述濾波電路的另一端第三電容C3與負載相連。

進一步地，所述濾波電路為串聯型濾波電路或者并聯型濾波電路。

進一步地，所述串聯型濾波電路包括：第三電感L3、第四電容C4，所述第四電容C4的一端和第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端相連，所述第四電容C4的另一端和第三電感L3的一端相連，所述第三電感L3的另一端經第三電容C3與負載相連。

進一步地，所述并聯型濾波電路包括：第三電感L3、第四電容C4，所述第三電感L3的一端和第一扼流圈L_RFC與第一電感L1連接的一端相連，所述第三電感L3的另一端和第四電容C4的一端和經第三電容C3與負載相連，所述第四電容C4的另一端接地。

本實用新型的有益效果是：本實用新型中的NMOS管M以及電感之間增加電容，能夠保證NMOS管M不被擊穿，提高了電路穩定性，并且保證NMOS管閉合瞬間，節點A的電勢為0，從而使得電路的輸出效率為100％。

附圖說明

圖1為背景技術中現有技術逆E類功率放大電路；

圖2為本實用新型實施例提供的逆E類射頻功率放大電路圖；

圖3為本實用新型實施例提供的加有濾波電路一逆E類射頻功率放大電路圖；