[實(shí)用新型]一種逆E類功率放大電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721366598.1 | 申請日： | 2017-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN207283501U | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬紅玲;王巖琴;崔洪藝 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波德晶元科技有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/02 | 分類號： | H03F1/02;H03F3/19;H03F3/217;H03F3/24 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州盛飛專利代理事務(wù)所(普通合伙)33243 | 代理人： | 龍洋 |
| 地址： | 315104 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功率 放大 電路 | ||
1.一種逆E類功率放大電路，其特征在于，包括：
第一扼流圈電感LRFC、第一電感L1、第一MOS管M、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3以及負(fù)載，所述第一扼流圈LRFC的一端與電源連接，第一扼流圈LRFC的另一端與第一電感L1一端、第一電容C1的一端、第二電容C2的一端以及第三電容C3的一端相連，所述第一電感L1的另一端與第一MOS管M的一端相連以及與第一電容C1的另一端相連，所述第三電容C3的另一端和負(fù)載相連，所述第一MOS管M的另一端接地，所述第二電容C2的另一端接地，所述負(fù)載的另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，
所述第一電容C1，用于保護(hù)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，
所述第三電容C3，用于隔斷電路中的直流分量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，
第一MOS管M的漏極和第一電感L1相連，第一MOS管M的源極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，
所述第一MOS管為N溝道增強(qiáng)型MOS管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，還包括濾波電路，
所述濾波電路的一端與第一扼流圈LRFC與第一電感L1連接的一端以及第二電容C2的一端相連，所述濾波電路的另一端第三電容C3與負(fù)載相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，
所述濾波電路為串聯(lián)型濾波電路或者并聯(lián)型濾波電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，
所述串聯(lián)型濾波電路包括：第三電感L3、第四電容C4，所述第四電容C4的一端和第一扼流圈LRFC與第一電感L1連接的一端相連，所述第四電容C4的另一端和第三電感L3的一端相連，所述第三電感L3的另一端經(jīng)第三電容C3與負(fù)載相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種逆E類功率放大電路，其特征在于，
所述并聯(lián)型濾波電路包括：第三電感L3、第四電容C4，所述第三電感L3的一端和第一扼流圈LRFC與第一電感L1連接的一端相連，所述第三電感L3的另一端和第四電容C4的一端和經(jīng)第三電容C3與負(fù)載相連，所述第四電容C4的另一端接地。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧波德晶元科技有限公司，未經(jīng)寧波德晶元科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721366598.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
