[實用新型]一種旋轉蝕刻裝置及濕法刻蝕機臺

有效

• 申請號: 201721343049.2
• 申請日: 2017-10-18
• 公開（公告）號: CN207637755U
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 周文權
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本實用新型提供一種旋轉蝕刻裝置及濕法刻蝕機臺，適用于半導體濕法刻蝕工藝，包括：支撐結構，支撐結構提供一支撐面用以支撐待刻蝕的晶圓；噴嘴裝置，設置于支撐面的上方，于噴嘴裝置包括一水平設置的盤體，盤體朝向支撐面的一面均布有多個噴嘴，盤體背向支撐面的一面連接一液體輸送管。其有益效果在于：通過優化蝕刻裝置的噴嘴裝置，增加多個噴嘴，改變了晶圓邊沿的化學溶液的流量，從而提升晶圓的蝕刻率，改變晶圓的均勻度，保證產品均勻度在可控的安全質量標準之內，減少報廢風險。

技術領域

本實用新型涉及半導體濕法刻蝕工藝技術領域，尤其涉及一種旋轉蝕刻裝置及濕法刻蝕機臺。

背景技術

化學蝕刻裝置是利用化學蝕刻法(又稱濕法刻蝕)，用化學溶液直接對工件未被保護的部位進行化學腐蝕。

濕法刻蝕機臺的旋轉刻蝕裝置在刻蝕的過程中，由于需要晶圓處于高速旋轉狀態，使得用于刻蝕的化學溶液在晶圓邊緣的旋轉離心力最大，造成化學溶液在晶圓邊沿停留時間短，蝕刻率偏低，同時，由于化學溶液由晶圓中心流向邊緣過程中有熱量的流失，進一步地導致旋轉蝕刻裝置上晶圓邊緣蝕刻率低，造成整片晶圓的均勻度較差，在晶圓邊緣部分偏厚，使得最終的晶圓產品蝕刻不均勻，從而無法提升整個晶圓的均勻度。

發明內容

針對現有技術中存在的上述問題，現提供一種旨在實現均勻刻蝕的旋轉蝕刻裝置及濕法刻蝕機臺。

具體技術方案如下：

一種旋轉蝕刻裝置，適用于半導體濕法刻蝕工藝，其中，包括：

支撐結構，所述支撐結構提供一支撐面用以支撐待刻蝕的晶圓；

噴嘴裝置，設置于所述支撐面的上方，于所述噴嘴裝置包括一水平設置的盤體，所述盤體朝向所述支撐面的一面均布有多個噴嘴，所述盤體背向所述支撐面的一面連接一液體輸送管。

優選的，所述盤體為圓形，所述盤體的尺寸與所述待刻蝕的晶圓尺寸適配。

優選的，所述噴嘴沿所述盤體徑向成放射狀設置。

優選的，所述噴嘴的口徑沿所述盤體的半徑由邊緣至中心逐步縮小。

優選的，所述盤體上，距所述盤體的中心距離相同的所述噴嘴的口徑相同。

優選的，還包括一閥門，所述閥門設置于所述液體輸送管上。

優選的，所述支撐面的邊緣設有向上凸起的凸緣，所述凸緣用以固定所述待刻蝕的晶圓，以使所述待刻蝕的晶圓與所述支撐面之間具有預定距離。

優選的，所述支撐面朝向所述待刻蝕的晶圓的一面均布有氣體噴嘴。

優選的，還包括一開口向上的腔體，所述支撐結構及所述噴嘴裝置設置于所述腔體中，所述液體輸送管由所述開口處伸入所述腔體。

優選的，一種濕法刻蝕機臺，包括上述旋轉刻蝕裝置。

其有益效果在于：通過優化蝕刻裝置的噴嘴裝置，增加多個噴嘴，改變了晶圓邊沿的化學溶液的流量，從而提升晶圓的蝕刻率，改變晶圓的均勻度，保證產品均勻度在可控的安全質量標準之內，減少報廢風險。

附圖說明

圖1為本實用新型旋轉蝕刻裝置的整體結構示意圖。

上述說明書中附圖標記表示說明：

支撐結構(1)；支撐面(10)；凸緣(100)；待刻蝕的晶圓(11)；噴嘴裝置(2)；盤體(20)；噴嘴(21)；液體輸送管(22)；腔體(3)。

具體實施方式