[實用新型]一種旋轉蝕刻裝置及濕法刻蝕機臺有效
| 申請號： | 201721343049.2 | 申請日： | 2017-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN207637755U | 公開（公告）日： | 2018-07-20 |
| 發明（設計）人： | 周文權 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 噴嘴裝置 盤體 濕法刻蝕機臺 旋轉蝕刻 支撐結構 支撐 噴嘴 均勻度 半導體濕法 本實用新型 液體輸送管 化學溶液 刻蝕工藝 蝕刻裝置 水平設置 質量標準 可控的 蝕刻率 支撐面 均布 刻蝕 報廢 優化 安全 保證 | ||
1.一種旋轉蝕刻裝置，適用于半導體濕法刻蝕工藝，其特征在于，包括：
支撐結構，所述支撐結構提供一支撐面用以支撐待刻蝕的晶圓；
噴嘴裝置，設置于所述支撐面的上方，于所述噴嘴裝置包括一水平設置的盤體，所述盤體朝向所述支撐面的一面均布有多個噴嘴，所述盤體背向所述支撐面的一面連接一液體輸送管。
2.根據權利要求1所述的旋轉蝕刻裝置，其特征在于，所述盤體為圓形，所述盤體的尺寸與所述待刻蝕的晶圓尺寸適配。
3.根據權利要求1所述的旋轉蝕刻裝置，其特征在于，所述噴嘴沿所述盤體徑向成放射狀設置。
4.根據權利要求3所述的旋轉蝕刻裝置，其特征在于，所述噴嘴的口徑沿所述盤體的半徑由邊緣至中心逐步縮小。
5.根據權利要求1所述的旋轉蝕刻裝置，其特征在于，所述盤體上，距所述盤體的中心距離相同的所述噴嘴的口徑相同。
6.根據權利要求1所述的旋轉蝕刻裝置，其特征在于，還包括一閥門，所述閥門設置于所述液體輸送管上。
7.根據權利要求1所述的旋轉蝕刻裝置，其特征在于，所述支撐面的邊緣設有向上凸起的凸緣，所述凸緣用以固定所述待刻蝕的晶圓，以使所述待刻蝕的晶圓與所述支撐面之間具有預定距離。
8.根據權利要求7所述的旋轉蝕刻裝置，其特征在于，所述支撐面朝向所述待刻蝕的晶圓的一面均布有氣體噴嘴。
9.根據權利要求1所述的旋轉蝕刻裝置，其特征在于，還包括一開口向上的腔體，所述支撐結構及所述噴嘴裝置設置于所述腔體中，所述液體輸送管由所述開口處伸入所述腔體。
10.一種濕法刻蝕機臺，其特征在于，包括上述權利要求1-9任一所述的旋轉蝕刻裝置。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
