[實用新型]一種LPCVD工藝腔的加熱裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721340570.0
• 申請日: 2017-10-16
• 公開（公告）號: CN207418861U
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 袁世成
• 申請（專利權）人: 君泰創(chuàng)新（北京）科技有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/52
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 陳丹;蘇蕾

本實用新型公開了一種LPCVD工藝腔的加熱裝置。所述LPCVD工藝腔的加熱裝置包括：加熱板，所述加熱板的上表面上設置有工作區(qū)和第一加熱區(qū)，所述工作區(qū)設置成放置待加熱基板，所述第一加熱區(qū)設置成圍繞待加熱基板，所述加熱板中設置有第二加熱區(qū)，所述第二加熱區(qū)被分割為多個加熱區(qū)域，每個加熱區(qū)域設置成加熱功率能夠被單獨調節(jié)，其中設置成對應所述待加熱基板的凸起部分的加熱區(qū)域的加熱功率大于設置成對應所述待加熱基板的凹陷部分的加熱區(qū)域的加熱功率，所述第一加熱區(qū)和所述第二加熱區(qū)的每個加熱區(qū)域中分別設置有控溫裝置。本實用新型的LPCVD工藝腔的加熱裝置使得基板的加熱均勻性得到了改善，提高了沉積膜層的質量。

技術領域

本實用新型涉及但不限于一種LPCVD工藝腔的加熱裝置。

背景技術

目前光伏產業(yè)的發(fā)展，關鍵取決于降低太陽能電池生產成本的潛力。銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池具有生產成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特點，光電轉換效率居各種薄膜太陽能電池之首，接近晶體硅太陽能電池，而成本則是晶體硅電池的三分之一，被國際上稱為“下一時代非常有前途的新型薄膜太陽電池”。此外，該電池具有柔和、均勻的黑色外觀，是對外觀有較高要求的場所的理想選擇，如大型建筑物的玻璃幕墻等，在現代化高層建筑等領域有很大市場。

CIGS薄膜太陽能電池的基板為覆有Mo層的鈉鈣玻璃，制備工藝為：(1) 采用直流磁控濺射法沉積Mo鉬作為支持層；(2)采用三步共蒸法制備CIGS 薄膜；(3)采用水浴法沉積CdS薄膜；(4)采用LPCVD制備BZO薄膜； (5)采用電子束蒸發(fā)制備Ni/Al電極；(6)上面覆蓋一層增透膜MgF2。其中步驟(4)中的LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是指低壓化學氣相沉積，是在27～270Pa的反應壓力下利用氣態(tài)物質通過化學反應在基片表面形成固態(tài)薄膜的一種成膜技術，廣泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉積。

一般LPCVD的工藝流程為：裝片——進片——對反應室抽真空——檢查設備是否正常——用N2吹掃并加熱——再抽真空——保持壓力穩(wěn)定后開始沉積——關閉所有工藝氣體，重新抽真空——回沖N2到常壓——出爐。待反應室達到設定溫度后開始沉積，并且在沉積過程中維持該設定溫度。因此，加熱是否均勻對沉積膜層的質量有較大影響。

實用新型內容

以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本實用新型提供了一種LPCVD工藝腔的加熱裝置，該加熱裝置能夠均勻地加熱大尺寸的玻璃基板，提高沉積膜層的質量。

具體地，本實用新型提供了一種LPCVD工藝腔的加熱裝置。

本實用新型提供的LPCVD工藝腔的加熱裝置，包括：

加熱板，所述加熱板的上表面上設置有工作區(qū)和第一加熱區(qū)，所述工作區(qū)設置成放置待加熱基板，所述第一加熱區(qū)設置成圍繞待加熱基板，所述加熱板中設置有第二加熱區(qū)，所述第二加熱區(qū)被分割為多個加熱區(qū)域，每個加熱區(qū)域設置成加熱功率能夠被單獨調節(jié)，其中設置成對應所述待加熱基板的凸起部分的加熱區(qū)域的加熱功率大于設置成對應所述待加熱基板的凹陷部分的加熱區(qū)域的加熱功率，所述第一加熱區(qū)和所述第二加熱區(qū)的每個加熱區(qū)域中分別設置有控溫裝置。

在一些實施方式中，所述控溫裝置可以為熱電偶。

在一些實施方式中，設置成對應所述待加熱基板的凸起部分的所述加熱區(qū)域的加熱絲可以呈S形均勻布置。

可選地，設置成對應所述待加熱基板的凸起部分的所述加熱區(qū)域的加熱絲沿加熱板的寬度方向呈S形均勻布置。

在一些實施方式中，所述加熱板可以包括上板和下板，所述上板是導熱板，所述第二加熱區(qū)位于所述上板與所述下板之間。