[實用新型]一種LPCVD工藝腔的加熱裝置

有效

• 申請號: 201721340570.0
• 申請日: 2017-10-16
• 公開（公告）號: CN207418861U
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 袁世成
• 申請（專利權）人: 君泰創新（北京）科技有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/52
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 陳丹;蘇蕾

1.一種LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置包括：

加熱板，所述加熱板的上表面上設置有工作區和第一加熱區，所述工作區設置成放置待加熱基板，所述第一加熱區設置成圍繞待加熱基板，所述加熱板中設置有第二加熱區，所述第二加熱區被分割為多個加熱區域，每個加熱區域設置成加熱功率能夠被單獨調節，其中設置成對應所述待加熱基板的凸起部分的加熱區域的加熱功率大于設置成對應所述待加熱基板的凹陷部分的加熱區域的加熱功率，所述第一加熱區和所述第二加熱區的每個加熱區域中分別設置有控溫裝置。

2.根據權利要求1所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述加熱板包括上板和下板，所述上板是導熱板，所述第二加熱區位于所述上板與所述下板之間。

3.根據權利要求2所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述上板的下表面和所述下板的上表面上設置有安裝槽，所述加熱板中的第二加熱區的加熱絲設置在由所述上板的下表面的安裝槽和所述下板的上表面的安裝槽形成的空間中；

或者，所述上板的下表面或所述下板的上表面上設置有安裝槽，所述加熱板中的第二加熱區的加熱絲設置在所述安裝槽中。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述第二加熱區被分割為四個加熱區域，分別為加熱區域A、加熱區域B、加熱區域C和加熱區域D，其中所述加熱區域A和所述加熱區域D分別設置成對應所述待加熱基板的凸起部分，所述加熱區域B和所述加熱區域C分別設置成對應所述待加熱基板的凹陷部分，所述加熱區域B圍繞在所述加熱區域A周圍，所述加熱區域C圍繞在所述加熱區域D周圍。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述加熱板呈“凸”字型，所述第一加熱區設置在環繞“凸”字型的凸起的環形部分上。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置還包括屏蔽罩，所述屏蔽罩罩住所述加熱板的側面和所述加熱板的上表面的除工作區之外的部分。

7.根據權利要求6所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述屏蔽罩包括上屏蔽板、下屏蔽板和屏蔽板固定件，所述上屏蔽板覆蓋所述加熱板的上表面的除工作區之外的部分并通過支撐條支撐在所述第一加熱區上方，所述下屏蔽板覆蓋所述加熱板的側面并固定在所述屏蔽板固定件上，所述上屏蔽板固定連接在所述下屏蔽板上，所述屏蔽板固定件設置成固定在真空腔室中。

8.根據權利要求6所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置還包括邊框條，所述邊框條密封所述工作區與所述屏蔽罩之間的縫隙。

9.根據權利要求1-3中任一項所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置還包括支撐柱，所述加熱板固定在所述支撐柱上，并且所述加熱板與所述支撐柱之間設置有隔熱件。

10.根據權利要求6所述的LPCVD工藝腔的加熱裝置，其特征在于，所述屏蔽罩由不銹鋼材料制成。