[實(shí)用新型]陰極弧靶裝置及真空多弧離子鍍膜機(jī)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721333587.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207347652U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王軍紅;車少鋒;鄭衛(wèi)民;王珍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市典雅五金制品有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/32
• 分類號(hào): C23C14/32;C23C14/56
• 代理公司: 東莞眾業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44371
• 代理人: 何恒韜

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陰極弧靶裝置及真空多弧離子鍍膜機(jī)，其中，陰極弧靶裝置包括弧靶體、靶材、引弧系統(tǒng)、滑動(dòng)桿、滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)及滑動(dòng)氣缸；所述靶材安裝于弧靶體一側(cè)，所述滑動(dòng)桿可滑動(dòng)地安裝于弧靶體一端，所述滑動(dòng)氣缸與滑動(dòng)桿相連接，并通過(guò)滑動(dòng)桿帶動(dòng)引弧系統(tǒng)靠近或遠(yuǎn)離靶材；所述滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)設(shè)置于滑動(dòng)桿之外，用于對(duì)滑動(dòng)桿進(jìn)行真空密封；所述滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)包括波紋管及波紋管架體，所述波紋管架體安裝于弧靶體上，所述波紋管的兩端焊接于波紋管架體上。本實(shí)用新型陰極弧靶裝置密封性好、不發(fā)生真空泄漏、維護(hù)容易、壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠實(shí)用。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及真空鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陰極弧靶裝置及真空多弧離子鍍膜機(jī)。

背景技術(shù)

真空多弧離子鍍膜機(jī)作為真空涂層的生產(chǎn)設(shè)備，當(dāng)前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到工業(yè)化生產(chǎn)中，陰極弧靶作為鍍膜機(jī)的核心部件，其穩(wěn)定性和可靠性直接關(guān)系到整個(gè)生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性以及產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。陰極弧靶裝置中，驅(qū)動(dòng)引弧部分的滑動(dòng)真空密封基本上均采用傳統(tǒng)的油封密封或O形橡膠圈密封，此種密封的結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜、維護(hù)周期短、密封材料的材質(zhì)要求高、機(jī)械加工精度要求較高。即使這樣，引弧部分的滑動(dòng)真空密封部分時(shí)常還會(huì)因?yàn)榉N種原因產(chǎn)生真空泄漏，嚴(yán)重影響到生產(chǎn)的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性。除此之外，在現(xiàn)在真空多弧離子鍍膜機(jī)中，還存在抽真空效率慢、真空度難以保證的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種密封性好、不發(fā)生真空泄漏、維護(hù)容易、壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠實(shí)用的陰極弧靶裝置；為此本實(shí)用新型還要提供一種采用該陰極弧靶裝置的真空多弧離子鍍膜機(jī)。

為解決上述第一個(gè)技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：一種陰極弧靶裝置，包括弧靶體、靶材、引弧系統(tǒng)、滑動(dòng)桿、滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)及滑動(dòng)氣缸；所述靶材安裝于弧靶體一側(cè)，所述滑動(dòng)桿可滑動(dòng)地安裝于弧靶體一端，所述滑動(dòng)氣缸與滑動(dòng)桿相連接，并通過(guò)滑動(dòng)桿帶動(dòng)引弧系統(tǒng)靠近或遠(yuǎn)離靶材；所述滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)設(shè)置于滑動(dòng)桿之外，用于對(duì)滑動(dòng)桿進(jìn)行真空密封；所述滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)包括波紋管及波紋管架體，所述波紋管架體安裝于弧靶體上，所述波紋管的兩端焊接于波紋管架體上。

為解決上述第二個(gè)技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：一種真空多弧離子鍍膜機(jī)，包括：

真空多弧離子鍍膜系統(tǒng)，包括真空鍍膜室及真空鍍膜室內(nèi)的陰極弧靶裝置和工件架，在真空多弧離子鍍膜系統(tǒng)啟動(dòng)之后，陰極弧靶裝置的靶材表面產(chǎn)生電弧，發(fā)射金屬蒸氣，金屬蒸氣中的原子電離成正離子，正離子在真空鍍膜室內(nèi)運(yùn)行時(shí)與反應(yīng)氣體離子結(jié)合，沉積在工件架的工件表面形成薄膜；所述陰極弧靶裝置包括弧靶體、靶材、引弧系統(tǒng)、滑動(dòng)桿、滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)及滑動(dòng)氣缸；所述靶材安裝于弧靶體一側(cè)，所述滑動(dòng)桿可滑動(dòng)地安裝于弧靶體一端，所述滑動(dòng)氣缸與滑動(dòng)桿相連接，并通過(guò)滑動(dòng)桿帶動(dòng)引弧系統(tǒng)靠近或遠(yuǎn)離靶材；所述滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)設(shè)置于滑動(dòng)桿之外，用于對(duì)滑動(dòng)桿進(jìn)行真空密封；所述滑動(dòng)密封機(jī)構(gòu)包括波紋管及波紋管架體，所述波紋管架體安裝于弧靶體上，所述波紋管的兩端焊接于波紋管架體上；

抽真空系統(tǒng)，包括第一旋片泵、羅茨泵和分子泵；所述第一旋片泵用于對(duì)真空鍍膜室進(jìn)行一級(jí)抽真空，第一旋片泵的進(jìn)氣口連通羅茨泵的出氣口；所述羅茨泵用于對(duì)真空鍍膜室進(jìn)行二級(jí)抽真空，羅茨泵的進(jìn)氣口連通分子泵的出氣口；所述分子泵用于對(duì)真空鍍膜室進(jìn)行三級(jí)抽真空，分子泵的進(jìn)氣口連通真空鍍膜室的出氣口；

控制系統(tǒng)，用于控制真空多弧離子鍍膜系統(tǒng)及抽真空系統(tǒng)的工作運(yùn)轉(zhuǎn)。

優(yōu)選地，所述真空鍍膜室設(shè)有真空室門，真空室門通過(guò)鉸鏈安裝在真空鍍膜室一側(cè)，真空室門上設(shè)置有觀察窗及把手。

優(yōu)選地，所述陰極弧靶裝置包括圓柱磁控靶裝置和/或平面磁控靶裝置。

優(yōu)選地，所述真空鍍膜室設(shè)有若干加熱器，用于鍍膜時(shí)對(duì)真空鍍膜室加熱。

優(yōu)選地，所述抽真空系統(tǒng)還包括第二旋片泵，所述第二旋片泵用于為分子泵提供真空工作環(huán)境，所述分子泵設(shè)置有三組。