[實用新型]陰極弧靶裝置及真空多弧離子鍍膜機有效
| 申請號: | 201721333587.3 | 申請日: | 2017-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN207347652U | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發明(設計)人: | 王軍紅;車少鋒;鄭衛民;王珍 | 申請(專利權)人: | 東莞市典雅五金制品有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32;C23C14/56 |
| 代理公司: | 東莞眾業知識產權代理事務所(普通合伙) 44371 | 代理人: | 何恒韜 |
| 地址: | 523000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陰極 裝置 真空 離子 鍍膜 | ||
1.一種陰極弧靶裝置,其特征在于:包括弧靶體、靶材、引弧系統、滑動桿、滑動密封機構及滑動氣缸;所述靶材安裝于弧靶體一側,所述滑動桿可滑動地安裝于弧靶體一端,所述滑動氣缸與滑動桿相連接,并通過滑動桿帶動引弧系統靠近或遠離靶材;所述滑動密封機構設置于滑動桿之外,用于對滑動桿進行真空密封;所述滑動密封機構包括波紋管及波紋管架體,所述波紋管架體安裝于弧靶體上,所述波紋管的兩端焊接于波紋管架體上。
2.一種真空多弧離子鍍膜機,其特征在于,包括:
真空多弧離子鍍膜系統,包括真空鍍膜室及真空鍍膜室內的陰極弧靶裝置和工件架,在真空多弧離子鍍膜系統啟動之后,陰極弧靶裝置的靶材表面產生電弧,發射金屬蒸氣,金屬蒸氣中的原子電離成正離子,正離子在真空鍍膜室內運行時與反應氣體離子結合,沉積在工件架的工件表面形成薄膜;所述陰極弧靶裝置包括弧靶體、靶材、引弧系統、滑動桿、滑動密封機構及滑動氣缸;所述靶材安裝于弧靶體一側,所述滑動桿可滑動地安裝于弧靶體一端,所述滑動氣缸與滑動桿相連接,并通過滑動桿帶動引弧系統靠近或遠離靶材;所述滑動密封機構設置于滑動桿之外,用于對滑動桿進行真空密封;所述滑動密封機構包括波紋管及波紋管架體,所述波紋管架體安裝于弧靶體上,所述波紋管的兩端焊接于波紋管架體上;
抽真空系統,包括第一旋片泵、羅茨泵和分子泵;所述第一旋片泵用于對真空鍍膜室進行一級抽真空,第一旋片泵的進氣口連通羅茨泵的出氣口;所述羅茨泵用于對真空鍍膜室進行二級抽真空,羅茨泵的進氣口連通分子泵的出氣口;所述分子泵用于對真空鍍膜室進行三級抽真空,分子泵的進氣口連通真空鍍膜室的出氣口;
控制系統,用于控制真空多弧離子鍍膜系統及抽真空系統的工作運轉。
3.根據權利要求2所述的真空多弧離子鍍膜機,其特征在于:所述真空鍍膜室設有真空室門,真空室門通過鉸鏈安裝在真空鍍膜室一側,真空室門上設置有觀察窗及把手。
4.根據權利要求2所述的真空多弧離子鍍膜機,其特征在于:所述陰極弧靶裝置包括圓柱磁控靶裝置和/或平面磁控靶裝置。
5.根據權利要求2所述的真空多弧離子鍍膜機,其特征在于:所述真空鍍膜室設有若干加熱器,用于鍍膜時對真空鍍膜室加熱。
6.根據權利要求2所述的真空多弧離子鍍膜機,其特征在于:所述抽真空系統還包括第二旋片泵,所述第二旋片泵用于為分子泵提供真空工作環境,所述分子泵設置有三組。
7.根據權利要求2所述的真空多弧離子鍍膜機,其特征在于:所述分子泵與真空鍍膜室之間設置有截流閥。
8.根據權利要求2~7中任意一項所述的真空多弧離子鍍膜機,其特征在于:還包括水冷系統,用于對真空多弧離子鍍膜系統及抽真空系統進行散熱降溫。
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