[實用新型]一種掩模板邊角殘留鉻的清除裝置有效
| 申請號: | 201721329399.3 | 申請日: | 2017-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN207281464U | 公開(公告)日: | 2018-04-27 |
| 發明(設計)人: | 葉小龍;侯廣杰 | 申請(專利權)人: | 深圳市龍圖光電有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82 |
| 代理公司: | 深圳市徽正知識產權代理有限公司44405 | 代理人: | 李想 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模板 邊角 殘留 清除 裝置 | ||
1.一種掩模板邊角殘留鉻的清除裝置,其特征在于,包括:支架、寬度調整組件、密封活塞和滲透棉;其中,所述支架設置有側定位面,用于與掩模板的側面相接觸,所述支架中設置有用于盛裝藥液的容腔,所述滲透棉設置在容腔的底部,用于被盛裝在該容腔中的藥液浸泡,所述寬度調整組件設置在支架上,所述密封活塞連接在該寬度調整組件上,用于調整所述滲透棉的寬度。
2.根據權利要求1所述的掩模板邊角殘留鉻的清除裝置,其特征在于:所述支架的頂部設置有一連通至所述容腔的藥液添加口,該藥液添加口上設置有一可拆裝的蓋子。
3.根據權利要求1所述的掩模板邊角殘留鉻的清除裝置,其特征在于:所述支架的縱向斷面呈L形,其容腔的部分底面低于掩模板的上表面。
4.根據權利要求1所述的掩模板邊角殘留鉻的清除裝置,其特征在于:所述支架上設置有觀察窗,用于觀察容腔內藥液的容積。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





