[實用新型]一種快速熱退火機臺有效
| 申請號: | 201721312561.0 | 申請日: | 2017-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN207250471U | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發明(設計)人: | 石志平;吳宗祐;林宗賢 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 快速 退火 機臺 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造領域,特別是涉及一種快速熱退火機臺。
背景技術
快速熱退火(rapid thermal annealing:RTA)是將工件加熱到較高溫度,根據材料和工件尺寸采用不同的保溫時間,然后進行快速冷卻,目的是使金屬內部組織達到或接近平衡狀態,獲得良好的工藝性能和使用性能。
RTA在現代半導體產業有重要的應用。可以用極快的升溫在目標溫度(1000℃~1300℃)短暫持續,對硅片進行熱處理;快速的升溫過程和短暫的持續時間能夠在晶格缺陷的修復、激活雜質和最小化雜質擴散三者之間取得優化,而且RTA還能減小瞬時增強擴散。相對于爐管退火,它具有熱預算少,硅中雜質運動小,玷污小和加工時間短等特點。
RTA一般是在快速熱退火機臺中進行,現有的快速熱退火機臺一般包括1~3個退火腔室,而每個退火腔室有409根燈管,每根燈管的壽命約為兩年,通常做法是在燈管壽命到期之前提前更換燈管,而安裝新燈管的過程具體如圖1所示:在安裝燈管的過程中,由于燈筒內部不可見,無法準確地將燈管上的電連接插頭組與燈筒上的過孔組對準,會給安裝過程造成一定困難,不僅增加安裝時間,降低安裝效率,而且還會使燈管上的電連接插頭組造成損壞。
鑒于此,有必要設計一種新的快速熱退火機臺用以解決上述技術問題。
實用新型內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本實用新型的目的在于提供一種快速熱退火機臺,解決了現有快速熱退火機臺在更換燈管過程中,存在安裝時間長,安裝效率低,及會對燈管造成損壞的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本實用新型提供一種快速熱退火機臺,所述快速熱退火機臺包括:
機臺本體;
設于所述機臺本體內的退火腔室;
安裝于所述退火腔室內的燈管底座,所述燈管底座上設有若干電連接插孔組;
安裝于所述燈管底座上的若干燈筒,所述燈筒包括燈筒本體,及設于所述燈筒本體內壁上的定向導軌;及
安裝于所述燈筒內的燈管,所述燈管包括燈管本體,位于所述燈管本體一端、且與所述電連接插孔組進行電連接的電連接插頭組,位于所述燈管本體兩側、且在所述定向導軌上進行定向滑動的定向銷,及位于所述燈管本體另一端的發光件。
優選地,所述燈筒本體為中空圓柱形結構。
優選地,所述燈筒還包括設于所述燈筒本體一端的擋板,其中,所述擋板上設有與所述電連接插孔組位置對應的過孔組。
優選地,所述電連接插頭組貫穿所述過孔組與所述電連接插孔組進行電連接。
優選地,所述定向導軌為凹槽結構。
優選地,所述凹槽結構的寬度為2mm~3mm;所述凹槽結構的深度為2mm~3mm。
優選地,所述定向銷為梯形結構。
優選地,所述梯形結構的高度為2mm~3mm。
優選地,所述定向導軌和所述定向銷的材料均為耐高溫材料,其中,所述耐高溫材料包括陶瓷或鎳基合金。
優選地,所述快速熱退火機臺還包括設于所述發光件表面的聚光罩。
優選地,所述快速熱退火機臺還包括設于所述燈管底座上、且將所述燈筒及燈管罩于其內的防脫落罩體。
優選地,所述快速熱退火機臺還包括設于所述機臺本體內的冷卻裝置。
如上所述,本實用新型的一種快速熱退火機臺,具有以下有益效果:通過本實用新型所述的快速熱退火機臺,可實現燈管的準確、快速安裝,不僅降低了安裝時間,提高了安裝效率,而且還避免了燈管受到損壞。
附圖說明
圖1顯示為現有快速熱退火機臺安裝燈管時的結構示意圖。
圖2顯示為本實用新型快速熱退火機臺的結構示意圖。
圖3顯示為圖2中區域A的局部放大圖。
元件標號說明
10 快速熱退火機臺
11 機臺本體
12 退火腔室
13 燈管底座
131電連接插孔組
14 燈筒
141燈筒本體
142定向導軌
143擋板
144過孔組
15 燈管
151燈管本體
152電連接插頭組
153定向銷
154發光件
16 聚光罩
17 防脫落罩體
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





