[實(shí)用新型]圖像傳感器封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721297593.8
• 申請(qǐng)日: 2017-10-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207425857U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 拉里·D·金斯曼;S·伯薩克;馬克·艾倫·撒弗里奇;斯科特·唐納德·初科韋爾;布萊恩·瓦特斯特拉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 呂艷英;姚開(kāi)麗

本實(shí)用新型涉及一種圖像傳感器封裝，所述圖像傳感器封裝可包括具有像素陣列的半導(dǎo)體晶圓，形成像素陣列之上的濾色器陣列(CFA)和形成在所述CFA之上的一個(gè)或多個(gè)透鏡。光阻隔層可耦合在半導(dǎo)體晶圓之上圍繞所述透鏡的周界，和包封層可耦合在透鏡周界的周圍且在所述光阻隔層之上。光阻隔層可形成提供通向透鏡的開(kāi)口。模塑化合物層可耦合在包封層和光阻隔層之上。臨時(shí)保護(hù)層可在施加模塑化合物期間和/或在凈室環(huán)境之外進(jìn)行加工期間用于保護(hù)一個(gè)或多個(gè)透鏡不被污染。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型大體涉及圖像傳感器封裝。更具體的實(shí)施方式涉及模塑的和/ 或疊層的圖像傳感器封裝。

背景技術(shù)

圖像傳感器通過(guò)傳輸響應(yīng)于入射電磁輻射的信號(hào)來(lái)傳送與圖像有關(guān)的信息。圖像傳感器用于各種設(shè)備，包括智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、夜視設(shè)備、醫(yī)療成像儀及許多其他設(shè)備。利用電荷耦合器件(CCD)和CMOS結(jié)構(gòu)的常規(guī)半導(dǎo)體成像器目前正在使用中。圖像傳感器有時(shí)封裝在涉及模塑工藝的半導(dǎo)體封裝中。

實(shí)用新型內(nèi)容

圖像傳感器封裝(也稱封裝)的實(shí)施方式可包括：包括像素陣列的半導(dǎo)體晶圓；形成在所述像素陣列之上的濾色器陣列(CFA)；形成在所述CFA之上的一個(gè)或多個(gè)透鏡；和耦合在所述半導(dǎo)體晶圓之上圍繞所述一個(gè)或多個(gè)透鏡周界的光阻隔層。所述封裝可包括包封層，所述包封層耦合在圍繞所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的周界且在所述光阻隔層之上，所述光阻隔層形成有提供通向所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的開(kāi)口；和模塑化合物層，該模塑化合物層耦合在所述包封層之上且在所述光阻隔層之上。所述包封層垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度可配置為防止臨時(shí)保護(hù)層沉積在所述包封層之上，所述臨時(shí)保護(hù)層在施加所述模塑化合物層之前施加在所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之上。

所述圖像傳感器封裝的實(shí)施方式可包括以下之一、全部或任意組合：

所述包封層可位于/定位于所述模塑化合物層和所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之間。

可耦合在所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之上的透明罩，并且所述透明罩可至少部分限定在所述透明罩和所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之間的腔室。

所述包封層的垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度可至少為10 微米。

所述模塑化合物層可接觸所述包封層。

抗反射涂層(ARC層)可耦合在所述包封層之上且在所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之上。

所述模塑化合物層可接觸所述ARC層。

所述光阻隔層垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度可為至少3微米。

圖像傳感器封裝(也稱封裝)的實(shí)施方式可包括：具有像素陣列的半導(dǎo)體晶圓；形成在所述像素陣列之上的濾色器陣列(CFA)；形成在所述CFA之上的一個(gè)或多個(gè)透鏡；和耦合在半導(dǎo)體晶圓之上圍繞所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的周界的光阻隔層。所述封裝還可包括包封層，所述包封層耦合在圍繞所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的周界且在所述光阻隔層之上；壩狀結(jié)構(gòu)，所述壩狀結(jié)構(gòu)耦合在所述包封層的邊緣；和模塑化合物層，所述模塑化合物層耦合在所述包封層之上、耦合在所述光阻隔層之上且耦合在所述壩狀結(jié)構(gòu)反面。所述壩狀結(jié)構(gòu)垂直于所述半導(dǎo)體晶圓最大平整表面的高度可配制為防止臨時(shí)保護(hù)層沉積在所述包封層之上，所述臨時(shí)保護(hù)層在施加所述模塑化合物層之前施加在所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之上。

圖像傳感器封裝的實(shí)施方式可包括以下之一、全部或任意組合：

所述壩狀結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述臨時(shí)保護(hù)層的疏離性可防止所述臨時(shí)保護(hù)層越過(guò)所述壩狀結(jié)構(gòu)朝向所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的面。

所述壩狀結(jié)構(gòu)垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度可大于所述包封層垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度。

所述模塑化合物層可接觸包封層。