[實(shí)用新型]圖像傳感器封裝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721297593.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207425857U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 拉里·D·金斯曼;S·伯薩克;馬克·艾倫·撒弗里奇;斯科特·唐納德·初科韋爾;布萊恩·瓦特斯特拉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 呂艷英;姚開(kāi)麗 |
| 地址: | 美國(guó)亞*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透鏡 光阻隔層 圖像傳感器封裝 耦合 半導(dǎo)體晶圓 模塑化合物 像素陣列 包封層 周界 本實(shí)用新型 臨時(shí)保護(hù)層 濾色器陣列 凈室 開(kāi)口 施加 污染 加工 | ||
1.一種圖像傳感器封裝,包括:
包括像素陣列的半導(dǎo)體晶圓;
形成在所述像素陣列之上的濾色器陣列;
形成在所述濾色器陣列之上的一個(gè)或多個(gè)透鏡;
耦合在所述半導(dǎo)體晶圓之上圍繞所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的周界的光阻隔層;
耦合在圍繞所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的周界且在所述光阻隔層之上的包封層,所述光阻隔層形成有提供通向所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的開(kāi)口,和;
耦合在所述包封層之上且在所述光阻隔層之上的模塑化合物層;
其中包封層垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度被配置為防止臨時(shí)保護(hù)層沉積在所述包封層之上,所述臨時(shí)保護(hù)層在施加所述模塑化合物層之前施加在一個(gè)或多個(gè)透鏡之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,其中所述包封層包括在所述模塑化合物層和所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,進(jìn)一步包括耦合在所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之上的透明罩,且所述透明罩至少部分限定了所述透明罩與所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之間的腔室。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,其中所述模塑化合物層接觸所述包封層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器封裝,進(jìn)一步包括耦合在所述包封層之上且在所述一個(gè)或多個(gè)透鏡之上的抗反射涂層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器封裝,其中所述模塑化合物層接觸所述抗反射涂層。
7.一種圖像傳感器封裝,包括:
包括像素陣列的半導(dǎo)體晶圓;
形成在所述像素陣列之上的濾色器陣列;
形成在所述濾色器陣列之上的一個(gè)或多個(gè)透鏡;
耦合在所述半導(dǎo)體晶圓之上圍繞所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的周界的光阻隔層;
耦合在圍繞所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的周界且在所述光阻隔層之上的包封層;
耦合在所述包封層邊緣處的壩狀結(jié)構(gòu),和;
耦合在所述包封層之上、耦合在所述光阻隔層之上且耦合在所述壩狀結(jié)構(gòu)反面的模塑化合物層;
其中所述壩狀結(jié)構(gòu)垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度被配置為防止臨時(shí)保護(hù)層沉積在所述包封層之上,所述臨時(shí)保護(hù)層在施加所述模塑化合物層之前施加在一個(gè)或多個(gè)透鏡之上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器封裝,其中所述壩狀結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述臨時(shí)保護(hù)層的疏離性防止所述臨時(shí)保護(hù)層越過(guò)所述壩狀結(jié)構(gòu)朝向所述一個(gè)或多個(gè)透鏡的面。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器封裝,其中所述壩狀結(jié)構(gòu)垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度大于所述包封層垂直于所述半導(dǎo)體晶圓的最大平整表面的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器封裝,其中所述模塑化合物層接觸所述包封層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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